[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于：它自下而上依次包括散热层、键合金属层、绝缘层、P型电极、反射层、P型GaN层、N型GaN层和N型电极；其中N型电极由ITO透明电极和N电极焊点构成，在芯片四角设置有四条P电极沟槽，P电极沟槽由芯片顶层的N型电极区贯穿到芯片的P型区；N型GaN层的上表面为三维凸起阵列。

2.权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其步骤包括：

(1)在外延片的P型GaN层上依次逐层沉积反射层、P电极、绝缘层，再在绝缘层和散热层上分别沉积键合金属材料，再将二者结构对准后键合，键合温度为100到800℃，压强为1.5到3.5个大气压，键合时间为10到40分钟；其中，反射层厚度为50到500纳米，P电极厚度为50到1000纳米，绝缘层厚度在100到1000纳米左右；散热层厚度在20到300微米，键合金属层的厚度为100到2000纳米；

(2)将步骤(1)所得到的结构倒装；

(3)将外延片的衬底减薄到50到200微米，再用激光聚焦在外延片的衬底与GaN缓冲层交界面，清洗剥离后的结构；

(4)刻蚀GaN缓冲层直到N型GaN裸露；

(5)将裸露的N型GaN图形化，使其上表面为三维凸起阵列；

(6)在图形化的N型GaN上沉积一层ITO作为透明电极，ITO透明电极的厚度为100到1000纳米；

(7)在步骤(6)所得到的结构四角刻蚀出4个沟槽结构，刻蚀沟槽从顶端N型GaN刻蚀到P型电极层裸露；在ITO上刻蚀出4个电极孔，P电极焊点的孔直径为20到80微米；

(8)在ITO的上述电极孔内的沉积金属作为N电极焊点。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：散热层采用Cu作为散热材料。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：键合金属层采用Al/Ti/Au合金。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：绝缘层所使用的材料为硅胶。