[发明专利]一种自发成核生长溴化铊单晶方法有效
| 申请号： | 200710168946.9 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101260562A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 周东祥;龚树萍;胡云香;陈小炎;郑志平;余石金;刘欢;赵俊;傅邱云 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自发 成核 生长 溴化铊单晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种自发成核生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：
(1)将溴化铊原料装入直径为8-15mm的圆柱形安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角为15-45°的圆锥形；
(2)将安瓿放入垂直管式炉，安瓿的圆锥端指向炉底部，管式炉加热，使得溴化铊原料尖锥处温度高于或等于溴化铊熔点，并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0-1.5℃/mm的温度梯度增高，保温；
(3)管式炉以1-5℃/h的速度缓慢降温到450-460℃；
(4)安瓿随炉自然冷却至室温。
2、根据权利要求1所述的一种自发成核生长溴化铊单晶方法，其特征在于，所述步骤(2)中管式炉加热的升温速率为250-300℃/h，保温时间为5-15h。
3、根据权利要求1或2所述的一种自发成核生长溴化铊单晶方法，其特征在于，所述安瓿由石英制成。
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