[发明专利]一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法有效
| 申请号： | 200710168947.3 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101260563A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 周东祥;余石金;龚树萍;郑志平;权琳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B23/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 垂直 相生 长溴化铊单晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：
(1)清洁圆柱形安瓿；
(2)将溴化铊原料填充安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角15～35°、高度10～40mm的圆锥形；
(3)将安瓿放入垂直管式炉，其圆锥端指向炉顶部，封闭管式炉，加热，使得垂直管式炉的上部温度为410～440℃，下部温度为480～540℃，中部温度梯度为8～13℃/cm，再保温120～160h；
(4)安瓿随炉自然冷却至室温。
2、根据权利要求1所述的无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，其特征在于，所述垂直管式炉采用上下两个加热器加热。
3、根据权利要求1或2所述的无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，其特征在于，所述步骤(3)在保温48小时后增大所述垂直管式炉上部和下部间的温差。
4、根据权利要求1或2所述的无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，其特征在于，所述步骤(1)具体为：
(1.1)将安瓿置于马弗炉中，温度控制在600～650℃，时间为5～6小时；
(1.2)将焙烧后的安瓿在碱浴中浸泡5～10小时；
(1.3)将浸泡后的安瓿用10MΩ以上的去离子水反复冲洗，烘干。
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