[发明专利]一种Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉的制备方法无效
| 申请号： | 200710168978.9 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101219478A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 袁松柳;田召明;王永强;何惊华 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mn 掺杂 sno sub 室温 半导体 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A.室温下，将分析纯的氯化业锡，在超声波辅助下，溶于稀盐酸无水乙醇溶液中，然后加入乙酸锰，得到混合溶液，其中Mn2+和Sn2+离子摩尔比在1∶99～7∶93之间，同时加入无水乙醇调节Sn2+的摩尔浓度在0.1～0.3mol/L之间；将碳酸氢氨加入到无水乙醇中，配置成0.5～2mol/L碳酸氢氨无水乙醇溶液，碳酸氢氨应过量10％～30％；
B.在超声波分散和60℃水浴条件下，将碳酸氢氨无水乙醇溶液加入到混合溶液中，同时不断搅拌，接着滴加氨水，调节pH＝9～10，继续超声波分散30～60分钟；
C.将上步所得溶液陈化，得到的沉淀过滤，用去离子水多次洗涤，直到溶液pH为中性为止，所得的沉淀在100℃～150℃烘箱中干燥，研磨得到原始粉体；
D.将原始粉体在空气中退火处理3～6小时，退火温度为450℃～800℃，即得到Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉。
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