[发明专利]等离子加工装置和方法

权利要求书

1.一种等离子加工装置，其中加工气体通过形成在一对电极之间的气体通道并等离子化，然后被等离子化的气体通过连接到气体通道的吹风口被吹送，这样晶片的外边进行等离子化加工，其中

所述吹风口包括与所述晶片相交的端口轴，所述端口的直径尺寸或者宽度很小，以不允许所述吹送的气流被直接吹送到所述晶片的一部分，所述部分比所述晶片的外边更靠晶片的外侧并不进行等离子加工，以及

用于相对吹送气流通常在反向方向上取向形成抽吸气流的抽吸端口被靠近所述吹风口所形成。

2.根据权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，所述吹风口具有点状结构；以及

所述抽吸端口具有围绕所述点状吹风口的环形结构。

3.根据权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，所述吹风口沿着所述晶片的外边弓形地延伸，所述抽吸端口包括至少沿着所述弓形吹风口的外边延伸的弓形外抽吸端口部分和沿着所述弓形吹风口的内边延伸的弓形内抽吸端口部分之一。

4.根据权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，所述吹风口沿着所述晶片的整个外边具有环形结构，并且所述抽吸端口部分包括沿着所述环形吹风口的外边延伸的环形外抽吸端口部分和沿着所述环形吹风口的内边延伸的环形内抽吸端口部分至少之一。

5.根据权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，还包括：

用于在其中容纳所述一对电极并具有所述吹风口和形成在其中的抽吸端口的喷嘴头；以及

适于沿着所述晶片的外边相对地旋转所述喷嘴头的旋转装置。

6.根据权利要求5所述的等离子加工装置，其特征在于，所述喷嘴头包括一个外周表面构成所述吹风口的外周表面、另外一外周表面构成所述抽吸端口的外周表面的分隔壁，所述吹风口和所述抽吸端口通过分隔壁所隔开，分隔壁的尺寸厚度朝向所述分隔壁的远端减小。

7.根据权利要求6所述的等离子加工装置，其特征在于，所述分隔壁的远端具有刀刃状结构，由此所述吹风口和抽吸端口通常在所述分隔壁的远端彼此接触。

8.根据权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，所述吹风口从所述晶片稍微径向向外膨胀。

9.根据权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，还包括在预定的旋转速度上适于围绕所述晶片的中心轴线旋转所述晶片的旋转装置。

10.根据权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，还包括空气流形成装置，所述空气流形成装置是适于在所述晶片的外边上形成空气流，所述空气流具有在离开所述晶片的方向上取向的预定力。

11.根据权利要求10所述的等离子加工装置，其中所述空气流形成装置是适用于围绕所述晶片的中心轴线旋转所述晶片的旋转装置。

12.根据权利要求9或11所述的等离子加工装置，其特征在于，所述旋转装置包括用于通过只与所述晶片的背表面相邻接支撑所述晶片的晶片支撑部分，以及旋转所述晶片支撑部分的旋转驱动器。

13.根据权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，还包括适于设置所述晶片的加工宽度的加工宽度设定装置，以及适于根据所设定的加工宽度相对吹送流动速率调节所述抽吸流送速率的流送比的流送速率调节装置。

14.根据权利要求1所述的等离子加工装置，其特征在于，还包括适于调节间距、即所述吹风口和所述晶片之间的加工距离的加工距离调节装置。

15.一种等离子加工方法，其中加工气体通过允许所述加工气体通过形成在一对电极之间的气体通道而被等离子化，等离子化的气体然后吹送以相对晶片的外边执行等离子加工，其中

所述加工气体的吹送气流尺寸窄的足以沿着与所述晶片的相交方向被施加到所述晶片的外边，并不被直接地吹送到安置在比所述晶片的外边更靠内的所述晶片的内侧面同时不进行等离子加工的所述晶片的部分，同时，通常在吹送气流的反向方向上取向的抽吸气流被形成靠近所述吹送气流。

16.根据权利要求15所述的等离子加工方法，其中在所述加工气体被吹送的同时，所述晶片围绕所述晶片的中心轴线旋转，并且所述旋转速度根据所需的处理速率进行调整。