[发明专利]利用磁畴壁的移动的信息存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种信息存储装置，包括：

磁层，在所述磁层中包括交替布置的至少一个第一区和至少一个第二区，所述至少一个第一区具有第一磁各向异性能，所述至少一个第二区具有第二磁各向异性能，所述至少一个第二区被掺杂杂质离子，所述第一磁各向异性能大于所述第二磁各向异性能。

2.如权利要求1所述的信息存储装置，还包括：

供应单元，用于向所述磁层供应能量以使磁畴壁在所述磁层中移动。

3.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，所述杂质离子包括He⁺和Ga⁺中的至少一种。

4.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，所述信息存储装置包括以相等的间隔形成的多个第二区。

5.如权利要求4所述的信息存储装置，其中，所述第二区之间的所述间隔在5nm和1000nm之间，包含5nm和1000nm。

6.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，所述至少一个第二区的宽度在2nm和250nm之间，包含2nm和1000nm。

7.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，所述磁层由包括Fe、Co和Pt中的至少一种的材料形成。

8.如权利要求1所述的信息存储装置，其中，所述磁层由FePt、FePd、CoCr、CoCu、CoPt、CoTb、CoCrPt、CoFeTb、CoFeGd和CoFeNi中的至少一种形成。

9.一种信息存储装置的制造方法，所述方法包括：

形成磁层；

形成树脂层，该树脂层覆盖所述磁层；

在所述树脂层中形成多个槽，以暴露所述磁层的第一部分；

对所述磁层的所述第一部分进行掺杂。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述磁层的第一部分的磁各向异性能比所述磁层的剩余的未掺杂部分的磁各向异性能小。

11.如权利要求9所述的方法，其中，利用纳米压印方法形成所述槽。

12.如权利要求9所述的方法，其中，在所述树脂层中形成槽的步骤包括：

利用具有多个突出部分的主印模来压印所述树脂层，

移除所述主印模。

13.如权利要求9所述的方法，其中，杂质离子包括He⁺和Ga⁺中的至少一种。

14.如权利要求9所述的方法，其中，以相等间隔形成所述槽。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述槽之间的间隔的宽度在5nm和1000nm之间，包含5nm和1000nm。

16.如权利要求9所述的方法，其中，所述槽的宽度在2nm和250nm之间，包含2nm和250nm。

17.如权利要求9所述的方法，其中，所述磁层由包括Fe、Co和Pt中的至少一种的材料形成。

18.如权利要求9所述的方法，其中，所述磁层由FePt、FePd、CoCr、CoCu、CoPt、CoTb、CoCrPt、CoFeTb、CoFeGd和CoFeNi中的至少一种形成。