[发明专利]光接收元件以及包含该光接收元件的光接收装置无效
申请号: | 200710169519.2 | 申请日: | 2007-11-08 |
公开(公告)号: | CN101237002A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 河井元良 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L31/103 | 分类号: | H01L31/103;H01L31/0232;H01L31/0224;G02B6/42 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;孙志湧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收 元件 以及 包含 装置 | ||
1.一种背面入射型光接收元件,包含形成在光入射面的对面侧上的光接收部分区域,其中
光遮蔽膜层,其配置在光入射面上,以及开口,在与光接收部分区域相对应的位置处,其被配置到光遮蔽膜层。
2.如权利要求1所述的光接收元件,其中开口的尺寸是基于从光入射面到光接收部分区域的距离而确定的。
3.如权利要求1所述的光接收元件,其中开口的尺寸是光接收部分区域的平面形状的反映。
4.如权利要求1所述的光接收元件,其中开口的尺寸比光接收部分区域的平面形状小。
5.如权利要求1所述的光接收元件,其中光接收部分区域是PN结结构。
6.如权利要求5所述的光接收元件,其中当施加反向偏置电压时,由于PN结附近产生的耗尽层,作为输入信号的光电电流在光接收部分区域中流动。
7.如权利要求1所述的光接收元件,其中光遮蔽膜层是电极。
8.如权利要求1所述的光接收元件,其中光遮蔽膜层位于光入射面上。
9.如权利要求1所述的光接收元件,其中抗反射膜形成在光遮蔽膜层的开口上。
10.一种光接收装置,包含安装在用于光通信的光接收装置自身上的光接收元件,其中:
光接收元件是背面入射型光接收元件,其具有形成在光入射面的对面侧上的光接收部分区域;以及
光遮蔽膜层,其配置在光入射面上,以及开口,在与光接收部分区域相对应的位置处,其被配置到光遮蔽膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的