[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括第一晶体管，第一晶体管包括第一栅电极，以及包括第一半导体层、位于第一栅电极和第一半导体层之间的第一绝缘层，电连接到第一半导体层的第一源极，电连接到第一半导体层的第一漏极，所述半导体装置设置成：

第一源极具有第一延伸源极部分以及多个第二延伸源极部分，每个第二源极部分连接到第一延伸源极部分；

第一漏极具有第一延伸漏极部分和多个第二延伸源极部分，多个第二延伸漏极部分其中的每一个连接到第一延伸漏极部分；以及

多个第二延伸漏极部分的其中一个形成在多个第二延伸源极部分其中的两个之间，多个第二延伸漏极部分其中的一个和多个第二延伸源极部分其中的两个之间的空腔构造作为第一晶体管的沟道区。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个第二延伸漏极部分其中的一个和多个第二延伸源极部分其中的两个之一之间的长度为2-30微米。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，多个第二延伸漏极部分的其中一个的一部分和多个第二延伸源极部分其中的两个之一的一部分彼此相对，第一多个第二延伸漏极的其中一个的一部分的长度超过1000微米。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一源极和第一漏极之间具有蛇形间距。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一源极为梳子形的叉合电极。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一源极由有机物或聚合物制成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一漏极由有机物或聚合物制成。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括Vss线，该Vss线电连接第一延伸源极部分。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括发光元件，该发光元件具有一个阳极，该阳极电连接到第一延伸漏极部分。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括第二晶体管，第二晶体管包括第二栅电极、第二半导体层、位于第二栅电极和第二半导体层之间的第二绝缘层、电连接到第二半导体层的第二源极，和电连接到第二半导体层的第二漏极，其中第二漏极电连接到第一栅电极。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，第一晶体管作为一个电流驱动晶体管，第二晶体管作为一个开关晶体管。