[发明专利]编程多位闪存设备和相关设备的方法

权利要求书

1.一种编程多位非易失性存储器设备的方法，所述多位非易失性存储器设备包括具有多个存储单元的存储单元阵列和电耦合至存储单元阵列的存储部件，所述方法包括：

将多位数据的第一位(FB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个；和

利用数据反相将多位数据的第二位(SB)从存储部件编程到存储单元阵列中的多个存储单元的其中一个。

2.如权利要求1所述的方法，其中编程多位数据的第二位包括：

利用数据反相执行第一SB编程；

执行第二SB编程；和

执行第三SB编程以提供多位数据的已编程第二位。

3.如权利要求2所述的方法，其中利用数据反相的第一SB编程操作包括在第一SB编程操作之后将第一SB编程操作之前其数据处于FB状态“10”的其中一个存储单元中的数据置为SB状态“10”。

4.如权利要求3所述的方法，其中存储部件中的数据被反相并且其中执行第一SB编程包括利用反相数据执行第一SB编程。

5.如权利要求3所述的方法，其中数据反相之后数据“0”被禁止而其中数据“1”被编程。

6.如权利要求2所述的方法，其中第二SB编程操作包括在第二SB程序之后将第二SB编程之前其数据处于FB状态“10”(已编程的LSB)的其中一个存储单元置为状态“00”。

7.如权利要求2所述的方法，其中第三SB编程操作包括在第三SB编程操作之后将在第三SB编程操作之前其数据处于状态“11”的其中一个存储单元置为状态“01”，以提供多位数据的已编程第二位。

8.如权利要求1所述的方法，其中利用数据反相编程使得多位数据的第二位被编程到具有两个读取操作的存储单元中。

9.如权利要求8所述的方法，其中利用两个读取操作读取多位数据的第二位进一步包括：

将第一读取电压施加到其中一个存储单元；以及

将第二读取电压施加到其中一个存储单元以读取其中一个存储单元中的多位数据的第二位。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括通过将读取电压施加到其中一个存储单元来读取多位数据的第一位，以读取多位数据的第一位。

11.如权利要求1所述的方法，其中多位数据的第一位对应于多位数据的最低有效位(LSB)并且其中多位数据的第二位对应于多位数据的最高有效位(MSB)。

12.如权利要求11所述的方法，其中多位数据包括具有状态“0”、状态“1”、状态“2”和状态“3”其中一个的数据，其中每个状态具有不同的阈值电压并且其中状态“0”的MSB是1而状态“0”的LSB是1，状态“1”的MSB是0而状态“1”的LSB是1，状态“2”的MSB是0而状态“2”的LSB是0，并且状态“3”的MSB是1而状态“3”的LSB是0。

13.如权利要求1所述的方法，其中编程多位数据的第二位包括：

从存储部件加载反相数据；

基于加载的反相数据将多位数据的第二位编程到多个存储单元的其中一个，使得多位数据的第二位通过最多两次读取操作被编程。

14.如权利要求1所述的方法，其中从存储部件编程多位数据的第一位包括：

加载所述多位数据；

将多位数据的第一位编程到多个存储单元的其中一个；

确定是否已经正确地编程了多位数据的第一位；以及

如果多位数据的第一位没有被正确地编程，则逐渐增长地改变多位数据的已编程第一位的电平，直到确定多位数据的第一位已经被正确地编程或者已经超出验证周期的最大数。

15.如权利要求14所述的方法，其中加载所述多位数据是在复位存储部件之前进行的。

16.如权利要求1所述的方法，其中存储部件包括单个锁存页缓冲器和缓冲器随机存取存储器(RAM)的组合，多位数据的第一位被存储在单个锁存页缓冲器而多位数据的第二位被存储在缓冲器RAM中。

17.如权利要求16所述的方法，其中预编程的数据还存储在单个锁存页缓冲器。