[发明专利]半导体存储器和存储器系统

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括：

一对存储器模块，每个存储器模块都具有多个存储器单元，以及连接到所述的存储器单元上的字线和位线；

用于将所述的位线连接到预充电线上的预充电开关；

由所述存储器模块共享的灵敏放大器；

用于将所述的灵敏放大器连接到所述存储器模块的每个位线上的连接开关；以及

开关控制电路，该开关控制电路用于控制所述预充电开关的操作，并且设置切断功能以在不执行所述存储器单元的存取操作的周期中关断所述连接开关。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中：

在设置了所述的切断功能的时候，所述的开关控制电路关断所述预充电开关，

在存取操作期间，所述的开关控制电路开通与正被存取的存储器模块相对应的连接开关，以解除所述切断功能，以及

当开始存取操作的时候，所述的开关控制电路暂时开通与正被存取的存储器模块相对应的预充电开关。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器，其中：

当存取操作完成的时候，所述的开关控制电路暂时开通与正被存取的存储器模块相对应的预充电开关。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

用于存储有关故障存储器模块的信息的泄漏存储器单元，所述故障存储器模块存在字线和位线之间的泄漏故障，其中

基于保存在所述泄漏存储器单元中的信息，对于与所述的故障存储器模块相对应的连接开关，设置所述的切断功能，并且对于与没有所述泄漏故障的良好存储器模块相对应的连接开关，解除所述的切断功能。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器，还包括：

外部待机周期，在该外部待机周期中，可以接收外部存取请求和内部存取请求，和

内部待机周期，在该内部待机周期中，禁止外部存取请求的接收，并且仅仅可以接收内部存取请求，其中

在所述的内部待机周期中没有执行存取操作的周期，设置所述的切断功能，并且在所述的外部待机周期，解除所述的切断功能。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

外部待机周期，在该外部待机周期中，可以接收外部存取请求和内部存取请求，和

内部待机周期，在该内部待机周期中，禁止外部存取请求的接收，并且仅仅可以接收内部存取请求，其中

在所述的内部待机周期中没有执行存取操作的周期，设置所述的切断功能，并且在所述的外部待机周期，解除所述的切断功能。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器，其中

至少当从所述的外部待机周期切换到所述的内部待机周期之后，在生成所述的内部存取请求之后，设置所述的切断功能。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器，还包括：

设置电路，该设置电路用于设置在设置所述的切断功能之前的内部存取请求的数目。

9.根据权利要求6所述的半导体存储器，其中

在从所述的外部待机周期切换到所述的内部待机周期之后，执行响应于所述的内部存取请求的第一存取操作之后，设置所述的切断功能，并且

在从所述的内部待机周期切换到所述的外部待机周期之后，响应于第一外部或者内部存取请求，解除所述的切断功能。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

外部待机周期，在该外部待机周期中，可以接收外部存取请求和内部存取请求，和

内部待机周期，在该内部待机周期中，禁止外部存取请求的接收，并且仅仅可以接收内部存取请求，其中

对执行响应于所述内部存取请求的存取操作的存储器模块，在所述的内部待机周期中，响应于所述的内部存取请求，解除所述的切断功能，并且响应于下一个内部存取请求，设置所述的切断功能。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

生成负电压的负电压生成电路，其中

所述连接开关利用nMOS晶体管构成，并且

当关断所述的连接开关时，所述的开关控制电路将由所述的负电压生成电路生成的负电压提供给所述nMOS晶体管的栅极。