[发明专利]晶圆结构及其形成方法

权利要求书

1.一种晶圆结构的形成方法，包括：

提供一晶圆，该晶圆具有一接垫及一第一保护层，该第一保护层覆盖于该晶圆上，且具有一第一开口暴露部分的该接垫；

形成一第二保护层于该第一保护层上，该第二保护层具有一第二开口暴露部分的该接垫及该第一保护层，且该第二开口的尺寸大于该第一开口的尺寸，该第一开口及第二开口的边缘构成一阶梯结构；

其特征在于：晶圆结构的形成方法还包括：

形成一黏附层(adhesion layer)于该接垫、该阶梯结构及该第二保护层上；以及

形成一光阻层于该黏附层上，该光阻层具有一第三开口，该第三开口对应于该接垫的上方，且暴露部分的该黏附层；

利用电镀液电镀一阻障层(barrier layer)于该黏附层上，使该阻障层完全覆盖于暴露的该黏附层上，且该阻障层与该第三开口等宽；

形成一润湿层(wetting layer)于该阻障层上；

移除该光阻层；

移除未被阻障层覆盖的该黏附层；以及

印刷一焊料层于该湿润层上。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：部分阻障层实质上覆盖于该第二保护层的上方，该阻障层具有一上表面，该上表面是平面，该阻障层是一T型栓塞(T-plug)。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：部分阻障层实质上覆盖于该第二保护层的上方，该阻障层具有一上表面，该上表面是弧面，该阻障层是一U型栓塞(U-plug)。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：部分湿润层实质上覆盖于该第二保护层的上方，该湿润层具有一上表面，该上表面是平面，该湿润层是一T型栓塞。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：部分湿润层实质上覆盖于该第二保护层的上方，该湿润层具有一上表面，该上表面是弧面，该湿润层是一U型栓塞。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：该黏附层、该阻障层及该湿润层构成一凸块下金属层(Under Bump Metallurgy layer，UBM layer)，该焊料层实质上与该凸块下金属层等宽，该方法还包括：回焊(reflowing)该焊料层以形成凸块。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：该黏附层溅镀(sputtering)或无电电镀(electroless plating)在该接垫、该阶梯结构及该第二保护层上，该湿润层溅镀或电镀(electroplating)于该阻障层上。

8.一种晶圆结构的形成方法，包括：

提供一晶圆，晶圆具有一接垫及一第一保护层，该第一保护层覆盖于该晶圆上，且具有一第一开口暴露部分的该接垫；以及

形成一第二保护层于该第一保护层上，该第二保护层具有一第二开口暴露部分的该接垫及该第一保护层，且该第二开口的尺寸大于该第一开口的尺寸，该第一开口及该第二开口的边缘构成一阶梯结构；

其特征在于：该晶圆结构的形成方法还包括：

形成一黏附层全面覆盖于该接垫、该阶梯结构及该第二保护层上；

利用电镀液电镀一阻障层全面覆盖于该黏附层上；

形成一湿润层全面覆盖于该阻障层上；

形成一光阻层于该湿润层上，该光阻层覆盖部分的该湿润层，且实质上对应于该接垫及该阶梯结构的上方；

移除暴露于该光阻层外的该湿润层、该阻障层及该黏附层；

移除该光阻层；以及

印刷一焊料层于该湿润层上。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于：该阻障层具有一上表面，该上表面是平面，该阻障层是一T型栓塞。

10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于：该阻障层具有一上表面，该上表面是弧面，该阻障层是一U型栓塞。

11.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于：该湿润层具有一上表面，该上表面是平面，该湿润层是一T型栓塞。

12.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于：该湿润层具有一上表面，该上表面是弧面，该湿润层是一U型栓塞。