[发明专利]闪存及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体衬底上方形成第一氧化膜；

在所述第一氧化膜上方形成金属薄膜；

在所述金属薄膜上方形成光刻胶图案；

使用所述光刻胶图案作为掩模蚀刻所述金属薄膜，并且形成金属薄膜图案；

形成含有所述金属薄膜图案的第二氧化膜；以及

热处理所述第一和第二氧化膜并且使用金属氧化物结晶化处理所述金属薄膜图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶图案是负性光刻胶组成的负性光刻胶图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜包含镍、钛和钴中的至少其中之一。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜具有在约40到60之间范围的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜具有在约100到500之间范围的直径。

6.一种装置，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底上方的第一氧化膜；

形成于所述第一氧化膜上方并且含有多个金属氧化物晶体的第二氧化膜；以及

形成于所述第二氧化膜上方的栅极。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述金属氧化物晶体包含镍、钛和钴中的至少其中之一。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述每一个金属氧化物晶体都具有100到500之间范围的直径。

9.一种方法，包括：

在半导体衬底中形成器件绝缘薄膜和源/漏区；

在所述半导体衬底上方形成第一氧化膜；

在所述第一氧化膜上方形成金属薄膜；

在所述金属薄膜上方涂覆光刻胶薄膜；

形成光刻胶图案；

利用所述光刻胶图案作为掩模，形成具有点图案的金属薄膜图案；

去除所述光刻胶图案；

在所述第一氧化膜上方形成第二氧化膜；

热处理所述第一氧化膜和所述第二氧化膜；

在所述第二氧化膜内形成多个金属氧化物晶体；以及

在所述第二氧化层上方形成栅极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一氧化膜具有约60到100之间范围的厚度。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜包含镍、钛和钴中的至少一种。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜具有约40到60之间范围内的厚度。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成光刻胶图案包含曝光并投射所述光刻胶薄膜。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述光刻胶图案包含离子注入。

15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜图案基本是圆形的。

16.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二氧化膜包含金属薄膜图案。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，形成所述多个金属氧化物晶体包含氧化所述第一氧化膜和含有所述金属薄膜图案的所述第二氧化膜。

18.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述栅极包含浮动栅。