[发明专利]一种可提高空间成像套刻检验精准度的光罩以及光刻方法

权利要求书

1.一种可提高空间成像套刻检验精准度的光罩，该光罩上具有多个空间成像套刻标记图形，其特征在于，该空间成像套刻标记图形的周围设置有多层用于增大其图形密度的辅助条纹。

2.如权利要求1所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光罩，其特征在于，该空间成像套刻标记图形为一正方形。

3.如权利要求1所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光罩，其特征在于，该每一层辅助条纹的中心与该空间成像套刻标记图形的中心重合。

4.一种使用如权利要求1的可提高空间成像套刻检验精准度的光罩的光刻方法，用于将该光罩上的图形转移到涂布在硅衬底上的光刻胶上，该方法包括以下步骤：a、在该硅衬底上涂布光刻胶步骤；b、进行前烘工艺步骤；c、使用该光罩进行曝光工艺以将其上的空间成像套刻标记图形转移到该光刻胶上步骤；d、进行显影工艺步骤；e、进行后烘工艺步骤；其特征在于，在步骤b中，该前烘工艺的温度范围为115至125摄氏度。

5.如权利要求4所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法，其特征在于，在完成步骤e后，该光刻胶的厚度为4至5微米。

6.如权利要求4所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法，其特征在于，在步骤a中，该光刻胶为正性光刻胶。

7.如权利要求6所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法，其特征在于，该正性光刻胶包括溶剂、树脂和光活性化合物。

8.如权利要求4所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法，其特征在于，在步骤b中，该前烘工艺的温度为120摄氏度。

9.如权利要求4所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法，其特征在于，在步骤e中，该后烘工艺的温度范围为85至95摄氏度。