[发明专利]根据氮化硅薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法

权利要求书

1.一种根据薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法，所述方法应用于除机械手状态以外的和薄膜应力有关的参数均在预定的正常范围之内的情况，其特征在于，包括下列步骤：

a用薄膜沉积机台在一硅晶片基材上沉积形成氮化硅薄膜；

b测量所述氮化硅薄膜的薄膜应力；

c将测得的所述氮化硅薄膜的薄膜应力与预定数值范围进行比较，如果所述氮化硅薄膜应力超出预定数值范围，则校准所述薄膜沉积机台中机械手的位置；

重复上述步骤a至c，直至所测得的所述氮化硅薄膜的薄膜应力位于所述预定数值范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤a中沉积形成氮化硅膜厚度为5000～7000埃，均匀度为1.0～3.0。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤a中沉积形成氮化硅膜厚度为5500～6500埃，均匀度为1.5～2.5。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述步骤b中所述氮化硅薄膜的薄膜应力通过所述硅晶片基材在进行薄膜沉积前后的曲率半径的变化，并通过下列公式进行测量：

σ=E1-vh26t(1R2-1R1)]]>

式中，σ为所述氮化硅薄膜的薄膜应力，R₁和R₂分别表示所述硅晶片基材在进行薄膜沉积前后的曲率半径；E表示所述硅晶片基材杨氏系数；h表示所述硅晶片基材厚度；v表示所述硅晶片基材泊松比；t表示所述氮化硅薄膜厚度。