[发明专利]一种通过测量晶片上的参考图形从而控制晶片刻蚀时间的方法

权利要求书

1.一种通过测量晶片上的参考图形从而控制晶片刻蚀时间的方法，其特征在于包括以下步骤：

A：测量晶片上的参考图形在刻蚀前的厚度尺寸；

B：根据步骤A中的尺寸和目标厚度尺寸之间的差值和刻蚀时间之间的线性关系，确定刻蚀时间；

C：刻蚀机台根据步骤B中得到的数据对硅片的刻蚀时间进行控制。

2.按照权利要求1所述步骤A中的参考图形，其特征在于参考图形位于晶片上芯片与芯片之间的切割道上。

3.按照权利要求1或者2所述步骤A中的参考图形，其特征在于参考图形由刻蚀之前的工艺所完成。

4.按照权利要求3所述的参考图形，其特征在于参考图形的俯视图为无边矩形或者正方形，内接有两条以上的规则排列的互连线条。

5.按照权利要求4所述的参考图形的俯视图为无边矩形或者正方形，其特征在于边长均小于100微米。

6.按照权利要求5所述的无边矩形或者正方形，其特征是边长为60微米和80微米的矩形。

7.按照权利要求4所述的互连线条，其特征在于互连线条为直线条。

8.按照权利要求7所述的互连线条，其特征在于互连线条宽度一致。

9.按照权利要求4，7或者8所述的互连线条，其特征在于互连线的宽度为0到200纳米。

10.按照权利要求9所述的互连线条，其特征在于互连线条的宽度为128纳米。

11.按照权利要求4，5，7，8或者10所述的互连线条，其特征在于互连线条之间相隔距离一致。

12.按照权利要求11所述的互连线条，其特征在于互连线条之间的距离为50到1000纳米。

13.按照权利要求12所述的互连线条，其特征在于互连线条之间的距离为160到590纳米。

14.按照权利要求13所述的互连线条，其特征在于互连线条之间的距离为228纳米。