[发明专利]平面型铟镓砷红外焦平面探测器及制备方法

权利要求书

1.一种平面型铟镓砷红外焦平面探测器，包括：n-InP衬底(1)，在n-InP衬底上通过外延方法依次排列生长n-InP(2)/InGaAs本征层(3)/n-InP帽层(4)，在n-InP帽层上通过光刻、Zn扩散形成平面型pn结，在Zn扩散区域(6)及n-InP帽层上生长有一层SiO₂钝化增透膜(7)，在n-InP衬底的另一面生长有一底电极层(9)，其特征在于：

在SiO₂钝化增透膜(7)上，对着Zn扩散区域上方周围有一环形电极(8)，被环形电极围成的Zn扩散区域为光敏元区域(10)，在光敏元区域有一从Zn扩散区域引出的P电极(8-1)，P电极与环形电极联接，P电极通过环形电极将探测信号引出。

2.根据权利要求1的一种平面型铟镓砷红外焦平面探测器，其特征在于：所说的P电极由Au制成。

3.根据权利要求1的一种平面型铟镓砷红外焦平面探测器，其特征在于：所说的环形电极采用Cr/Au。

4.根据权利要求1的一种平面型铟镓砷红外焦平面探测器，其特征在于：所说的光敏元为线列或面阵。

5.一种平面型铟镓砷红外焦平面探测器的制备方法，其步骤如下：

§A.将生长好的外延片依次用三氯甲烷、乙醚、丙酮、乙醇超声清洗，氮气吹干；

§B.正胶(厚胶)光刻，光刻后烘干；Ar⁺离子刻蚀形成光刻标记；丙酮去光刻胶，去离子水冲洗，氮气吹干；

§C.生长SiO₂掩膜，厚度为2100-2500，正胶(厚胶)光刻Zn扩散窗口；HF酸缓冲液腐蚀SiO₂扩散窗口掩膜，丙酮去光刻胶，去离子水冲洗，氮气吹干；

§D.闭管扩散：将上述样品与Zn₃P₂粉末真空密封于石英管中，然后加热进行扩散，形成平面pn结；其特征在于：

§E.在Zn扩散区域上光刻电极孔，孔内生长与p-InP欧姆接触的Au P电极；

§F.P电极上、Zn扩散区域上及n-InP帽层上生长SiO₂钝化增透膜，厚度为2100-2500，然后在450-490℃的温度下，退火处理，时间10-15s；

§G.正胶(厚胶)光刻，光刻后65℃烘干20分钟，HF酸缓冲液腐蚀掉P电极上的SiO₂钝化增透膜，丙酮去光刻胶，去离子水冲洗，氮气吹干；

§H.正胶(厚胶)光刻，离子束溅射法生长Cr/Au加厚环形电极，厚度200-300/2800-7700：

§I.衬底背面抛光，生长Au层作为n电极。