[发明专利]V型沟道结构闪存

权利要求书

1.一种V型沟道结构闪存，包括衬底、形成与衬底上的栅极氧化物、形成于栅极氧化物上的控制栅，以及形成于控制栅两侧的侧壁浮栅，其特征在于，在所述栅极氧化物下端的衬底上形成V形沟道槽，存储电荷的沟道浮栅位于所述的V形沟道槽内。

2.如权利要求1所述的一种V型沟道结构闪存，其特征在于，所述的V形沟道槽的深度为其周边电路所用绝缘沟道深度的20％至90％。

3.如权利要求1所述的一种V型沟道结构闪存，其特征在于，所述的V形沟道槽的深度范围从1000A到8000A之间。

4.如权利要求1所述的一种V型沟道结构闪存，其特征在于，所述的沟道槽设有侧壁，该侧壁为晶体管沟道。

5.如权利要求1所述的一种V型沟道结构闪存的储单元写入方法，其特征在于，在实现存储单元写入时，栅极电压Vg的范围是6V至20V，源极电压Vs的范围是0至19V，漏极电压Vd的范围是3V至20V。

6.如权利要求1所述的一种V型沟道结构闪存的储单元写入方法，其特征在于，在实现存储单元写入时，栅极电压Vg＝12V，源极电压Vs＝0V，漏极电压Vd＝3V。

7.如权利要求1所述的一种V型沟道结构闪存的存储单元清零方法，其特征在于，在实现存储单元清零时，Vg的范围是0至-20V，Vd的范围是1至20V，Vs的范围是0至19V。

8.如权利要求1所述的一种V型沟道结构闪存的存储单元清零方法，其特征在于，在实现存储单元清零时，Vg＝-10V，Vd＝5V，Vs＝0V。

9.如权利要求1所述的一种V型沟道结构闪存的存储单元读入方法，其特征在于，在实现存储单元读入时，Vg的范围是2至10V，Vd的范围是1至10V，Vs的范围是0至9V。

10.如权利要求1所述的一种V型沟道结构闪存的存储单元读入方法，其特征在于，在实现存储单元读入时，Vg＝3V，Vd＝2V，Vs＝0V。