[发明专利]淀积含碳的薄膜用于形成掺杂区域间隔层的方法

权利要求书

1.一种淀积含碳薄膜用于形成掺杂区域间隔层的方法，所述间隔层用于在集成电路结构中阻止该集成电路结构的掺杂区域中的掺杂剂向外扩散，其特征在于，包括以下步骤：

淀积形成含碳的二氧化硅薄膜，其中，原料包括以下列气体中的一种或任多种：三甲基硅烷、四甲基硅烷、四甲基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、二甲基二甲氧基硅烷、二乙氧基甲基硅烷；和/或

淀积形成含碳的氮化硅薄膜，其中，原料包括NH₃和下列气体中的一种或任多种：三甲基硅烷、四甲基硅烷、四甲基环四硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、二甲基二甲氧基硅烷、二乙氧基甲基硅烷；

作为所述间隔层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法形成的间隔层包括含碳的氮化硅层或者含碳的二氧化硅/氮化硅/二氧化硅复合结构层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述淀积形成含碳的氮化硅和/或二氧化硅薄膜的方法包括：等离子体增强化学气相淀积法、低压化学气相淀积法、原子层淀积法、或者炉管淀积法。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述淀积形成含碳的氮化硅和/或二氧化硅薄膜的步骤包括用等离子体增强化学气相淀积法形成含碳的氮化硅层，其控制条件是：

主反应物气体的气体流量为100～1000sccm，所述主反应物气体包括下列物质中的一种或任多种：三甲基硅烷，四甲基硅烷，四甲基环四硅氧烷，八甲基环四硅氧烷，二甲基二甲氧基硅烷，二乙氧基甲基硅烷；

NH₃的气体流量为100～1000sccm；

N₂或He的气体流量为500～10000sccm；

反应室压力为1～10托耳；

射频功率为50～500瓦；

温度为350～450℃。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述淀积形成含碳的氮化硅和/或二氧化硅薄膜的步骤包括用等离子体增强化学气相淀积法形成含碳的二氧化硅层，其控制条件是：

主反应物气体的气体流量为100～1000sccm，所述主反应物气体包括下列物质中的一种或多种：三甲基硅烷，四甲基硅烷，四甲基环四硅氧烷，八甲基环四硅氧烷，二甲基二甲氧基硅烷，二乙氧基甲基硅烷；

N₂或He的气体流量为500～10000sccm；

反应室压力为1～10托耳；

射频功率为50～500瓦；

温度为350～450℃。