[发明专利]液晶显示装置的断线的修复方法无效

专利信息
申请号: 200710170941.X 申请日: 2007-11-23
公开(公告)号: CN101441373A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 秦锋 申请(专利权)人: 上海广电NEC液晶显示器有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/13
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 薛 琦
地址: 201108上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置 断线 修复 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种液晶显示装置的断线的修复方法。

背景技术

传统的CRT显示器依靠阴极射线管发射电子撞击屏幕上的磷光粉来显示图像,但液晶显示的原理则完全不同。通常,液晶显示装置(LCD)具有(也称彩膜基板)和下基板(也称阵列基板),彼此有一定间隔和互相正对,形成在两个基板上的多个电极相互正对,液晶夹在上基板和下基板之间,电压通过基板上的电极施加到液晶上,然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列从而显示图像、因为如上所述液晶显示装置不发射光,它需要光源来显示图像。因此,液晶显示装置具有位于液晶面板后面的背光源,根据液晶分子的排列控制从背光源入射的光量从而显示图像。在两块偏光片之间夹有玻璃基板、彩色滤光片、电极、液晶层和薄膜晶体管,液晶分子是具有折射率及介电常数各向异性的物质。背光源发出的光线经过下偏光片,成为具有一定偏振方向的偏振光。晶体管控制电极之间所加电压,而该电压作用于液晶来控制偏振光的偏振方向,偏振光透过相应的彩膜色层后形成单色偏振光,如果偏振光能够穿透上层偏光片,则显示出相应的颜色;电场强度不同,液晶分子的偏转角度也不同,透过的光强不一样,显示的亮度也不同,通过红绿蓝三种颜色的不同光强的组合来显示五颜六色的图像。

LCD装置包括彩膜基板和阵列基板,以及通过滴下方法而形成于该彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。阵列基板板包括:多条选通线,这些选通线以固定间隔沿第一方向布置;多条数据线,这些数据线以固定间隔沿垂直于第一方向的第二方向布置;多个像素电极以矩阵结构布置在由交叉的选通线和数据线所限定的像素区域内:以及多个薄膜晶体管,这些薄膜晶体管能够提供给选通线的数据而将信号从数据线传递给像素电极。彩膜基板包括:黑色矩阵(BM:black matrix),该黑矩阵防止光从第一基板的除了像素区域外的部分发出;红绿蓝彩膜用于显示彩色光,以及公共电极,用于形成显示所需电场。在相互贴合的玻璃基板之间有保持盒厚的间隔物。

在实际产品的制造过程中,断线不良占到了总体不良比重很大。为了提高生产的良品率通常是对导通不良的导线进行修复。在阵列工艺过程中,通过不同的检测设备在做完各导线层后进行开路短路方面的测量,以及时发现不良,及时进行修复,由于在刚做完金属层进行的测量和修复,因而可以得到比较好的导通效率和信赖性结果。上述修复方法一般为激光的切割和激光CVD(ChemicalVapor Deposition,化学气相沉积)。通过对局部的金属或者导电图形进行切割可以修复部分由于残留金属或导电物造成的短路,通过对局部进行激光CVD可以将断开的导线进行连接,以修复该断线。

上述断线修复是在金属导线层形成后,绝缘膜尚未形成前进行,激光CVD形成的金属直接覆盖于导线表面,因而有比较好的接触特性。但是当导线表面形成绝缘膜之后上述修复方法无法适用,并且在工程内存在着相当大的断线漏检几率,一旦在覆盖绝缘膜后发现存在断线,则只能依靠特殊设计及后续工艺来对断线进行修复。针对目前在阵列侧对已经完成绝缘膜覆盖的断线进行修复的方式简单说明如下:首先找出阵列侧已经完成绝缘膜覆盖的断线发生的地方,其次利用高能激光对断线处两侧金属上方的绝缘膜进行打击,以去除表面的绝缘膜,漏出导电层,然后通过激光CVD在表面覆盖金属导电膜而使得原先断开的导线导通。但是从上至下的激光打击的方法有会使导电层导电介质在高温下容易与环境气体发生反应会在高温下容易被气化或受热不均飞溅而导致导电介质缺失而影响接触特性等缺点。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种液晶显示装置的断线的修复方法,该断线的修复方法通过保护导电层与修复导电层连接,防止发生断线的导线被激光所损坏。

为达到上述目的,本发明提供一种液晶显示装置的断线的修复方法,该液晶显示装置包括多条相互平行的栅极线,和该些栅极线交叉排列的多条数据线,分别通过一第一接触孔、一第二接触孔与对应的一栅极线、一数据线连接的一薄膜晶体管,位于第一接触孔上覆盖一保护导电层,该保护导电层与所述栅极线接触连接,当所述栅极线发生断线时,其实质性特点在于,其对栅极线进行修复的方法包括以下步骤:通过检测设备检测出栅极线的断线发生的位置;通过沉积设备在保护气体的保护下对栅极线断线区域进行一修复导电层的淀积。

优选地,所述修复导电层覆盖断线处直至断线处相邻两侧晶体管的第一接触孔,该两个第一接触孔填满所述修复导电层。

优选地,所述沉积设备为激光化学气相沉积设备。

优选地,所述栅极线形成于一玻璃基板上,一第一绝缘层覆盖该栅极线。

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