[发明专利]焊盘及其形成方法有效
申请号: | 200710170951.3 | 申请日: | 2007-11-21 |
公开(公告)号: | CN101442034A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 聂佳相 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 形成 方法 | ||
1.一种焊盘,形成于具有导电结构的衬底之上,其特征在于:所 述焊盘至少包括两层焊盘,且位于所述导电结构上的底层焊盘的形成颗 粒大于位于所述底层焊盘上的顶层焊盘的形成颗粒;所述顶层焊盘与底 层焊盘在同一沉积室内连续沉积形成;所述焊盘的底层焊盘和顶层焊盘 包括金属铝。
2.如权利要求1所述的焊盘,其特征在于:所述底层焊盘的厚度 在1μm以上。
3.如权利要求1所述的焊盘,其特征在于:所述顶层焊盘的厚度 在500至之间。
4.如权利要求1所述的焊盘,其特征在于:所述底层焊盘的沉积 功率在20至25KW之间。
5.如权利要求1所述的焊盘,其特征在于:所述顶层焊盘的沉积 功率在2至10KW之间。
6.一种焊盘,形成于具有导电结构的衬底之上,其特征在于:所 述焊盘包括位于所述导电结构上的第一焊盘,位于所述第一焊盘上的第 二焊盘,以及位于所述第二焊盘上的第三焊盘,且形成所述第一焊盘、 第三焊盘的颗粒小于形成所述第二焊盘的颗粒;所述第一焊盘、第二焊 盘与第三焊盘在同一沉积室内连续沉积形成;所述焊盘包括金属铝,所 述导电结构包括金属铜。
7.如权利要求6所述的焊盘,其特征在于:所述第一焊盘的厚度 在50至之间。
8.如权利要求6所述的焊盘,其特征在于:所述第二焊盘的厚度 在1μm以上。
9.如权利要求6所述的焊盘,其特征在于:所述第三焊盘的厚度 在500至之间。
10.如权利要求6所述的焊盘,其特征在于:所述第一焊盘的沉积 功率在2至10KW之间。
11.如权利要求6所述的焊盘,其特征在于:所述第二焊盘的沉积 功率在20至25KW之间。
12.如权利要求6所述的焊盘,其特征在于:所述第三焊盘的沉积 功率在2至10KW之间。
13.如权利要求6所述的焊盘,其特征在于:所述导电结构与所述 第一焊盘之间还具有阻挡层。
14.如权利要求13所述的焊盘,其特征在于:所述阻挡层为TaN 层。
15.一种焊盘的形成方法,其特征在于,包括步骤:
提供衬底,且所述衬底内包含导电结构;
在所述导电结构上形成第一金属层;
在所述第一金属层上形成第二金属层,且所述第二金属层的沉积功 率大于所述第一金属层的沉积功率;
在所述第二金属层上形成第三金属层,且所述第三金属层的沉积功 率小于所述第二金属层的沉积功率;
在所述第三金属层上形成焊盘图形;
腐蚀所述第三金属层、第二金属层及第一金属层,形成焊盘;
所述第一金属层、第二金属层与第三金属层在同一沉积室内连续沉 积形成;
所述第一金属层、第二金属层及第三金属层由金属铝形成,所述导 电结构由金属铜形成。
16.如权利要求15所述的形成方法,其特征在于:所述第一金属 层的厚度在50至之间。
17.如权利要求15所述的形成方法,其特征在于:所述第二金属 层的厚度在1μm以上。
18.如权利要求15所述的形成方法,其特征在于:所述第三金属 层的厚度在50至之间。
19.如权利要求15所述的形成方法,其特征在于:所述第一金属 层的沉积功率在2至10KW之间。
20.如权利要求15所述的形成方法,其特征在于:所述第二金属 层的沉积功率在20至25KW之间。
21.如权利要求15所述的形成方法,其特征在于:所述第三金属 层的沉积功率在2至10KW之间。
22.如权利要求15所述的形成方法,其特征在于:在形成第一金 属层前,还在所述导电结构上形成了阻挡层。
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