[发明专利]高色饱和度全彩有机电致发光显示装置及其制作方法无效
申请号: | 200710171107.2 | 申请日: | 2007-11-28 |
公开(公告)号: | CN101170125A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 余峰;张积梅;徐洪光;庄筱磊 | 申请(专利权)人: | 上海广电电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;H01L21/50 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200060*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 饱和度 全彩 有机 电致发光 显示装置 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光二极管(OLED)显示器技术,特别是涉及一种高色饱和度的全彩色有机电致发光显示装置及其制作方法的技术。
背景技术
有机发光二极管显示器是一种自发光显示器,具有宽视角、高响应速度、宽使用温度范围等特点,已被广泛应用于手机屏、MP3和MP4屏的显示。为了获得高亮度、低功耗、高色饱和度的全彩发光显示,人们从制作器件的材料、器件结构以及制作方法上进行了不断的创新和努力。
目前,达到全彩化功能最常见的两种方法如下:
第一种是利用高精度的遮罩(shadow mask)15(如图1)通过高精度对位系统实现和基板(11)的对准,将遮罩遮住其中两个画素,在透明电极上蒸镀红、绿、蓝三色中一组颜色的有机材料(16),然后移动遮罩,依次蒸镀另外两种颜色的有机材料(17、18)。这种方法实现的全彩色显示器件的色饱和度往往由红、绿、蓝三色有机发光材料本身的色纯度所决定,而目前商业化的有机发光材料色纯度还不够高,使这种方法制作的器件的色饱和度较低,不能很好得再现事物的本来色彩。
如图2所示,第二种是通过搭配使用技术成熟的彩色滤光片(CF)(一般包括玻璃基板201,红203、绿204、蓝205三色光阻,黑色矩阵(black matrix)202和平坦化层(overcoat)206),经过特殊处理后形成一钝化层(passivation layer)207用来阻隔滤光片中释放的水氧,在形成于钝化层上的透明电极上制备白色有机发光组件211,通过彩色滤光片对白色器件的光色过滤,实现全彩显示效果。虽然这种制备方式不需要高精度的遮罩,对对位系统的精度要求也没有第一种制作方式高,制备的器件色饱和度也要好于第一种方式制备的器件,但是白光通过彩色滤光片后其光强会被削减三分之二,所以大大降低了显示器件的亮度,如果要实现相同的亮度,会大大增加显示器件的功耗。
发明内容
针对上述现有技术中存在的缺陷,本发明所要解决的技术问题是提供一种能提高色饱和度的,低功耗、高亮度的高色饱和度全彩有机电致发光显示装置及其制作方法。
为了解决上述技术问题,本发明所提供的一种高色饱和度全彩有机电致发光显示装置,包括一彩色滤光片,其透光基板上设有红、绿、蓝三种颜色的光阻;一透明(阳)电极,设置于所述彩色滤光片的上表面;其特征在于,还包括一有机发光单元层,设有红、绿、蓝三种颜色的有机发光单元,其中,红色有机发光单元设于红色光阻垂直(延伸)位置的透明电极之上,绿色有机发光单元设于绿色光阻垂直(延伸)位置的透明电极之上,蓝色有机发光单元设于蓝色光阻垂直(延伸)位置的透明电极之上;一金属电极,设(形成)于所述的三色有机发光单元之上。
进一步的,所述绿色有机发光单元、蓝色有机发光单元、红色有机发光单元的结构自下而上至少包括一空穴注入层、一空穴传输层、一发光层、一电子传输层、一电子注入层;其中空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层为公共的有机功能层,使用一大框式的遮罩蒸镀形成。
进一步的,所述的彩色滤光片至少包括一平坦化层、一黑色矩阵、一钝化层。
进一步的,所述的透明(阳)电极(经过湿法)刻蚀形成图形,并在透明(阳)电极上形成有绝缘层和阴极隔离柱。
进一步的,所述的透明电极为氧化铟锡或氧化铟锌。
进一步的,所述的金属电极为铝或镁银合金。
为了解决上述技术问题,本发明所提供的一种高色饱和度全彩有机电致发光显示装置的制作方法,其特征在于,主要步骤包括:
在彩色滤光片上形成透明电极图形;
在透明电极上形成绝缘层;
在绝缘层上形成阴极隔离柱;
蒸镀空穴注入层;
蒸镀空穴传输层;
将遮罩放置于彩色滤光片光阻垂直延伸位置,开口处对准第一色光阻,蒸镀第一色发光层;
平行移动遮罩,将开口处对准第二色光阻,蒸镀第二色发光层;
平行移动遮罩,将开口处对准第三色光阻,蒸镀第三色发光层;
蒸镀电子传输层;
蒸镀电子注入层;
蒸镀金属电极;
在惰性气体气氛中使用贴有干燥剂的后盖将上述部分封于密闭空间。
进一步的,所述第一、第二、第三色分别为绿色、蓝色、红色。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的