[发明专利]半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法

权利要求书

1.一种半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一半导体衬底(3)；

步骤二、在衬底上形成功能层(2)；

步骤三、在所述功能层表面涂布光刻胶图案(4)形成掩膜层；

步骤四、使用光刻的方法图案化所述掩膜层，若光刻满足质量要求，进入步骤五，若光刻不满足质量要求，进入步骤六；

步骤五、干法刻蚀所述功能层；

步骤六、使用包括氧气和氮气的混合气体，用干法去除光刻胶图案(4)；

步骤七、湿法去除残留物。

2.如权利要求1所述的半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法，其特征是，所述步骤六中的混合气体还可以包括氢气。

3.如权利要求2所述的半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法，其特征是，所述氢气的流量在混合气体中所占流量比大于等于0％、小于或等于10％。

4.如权利要求2所述的半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法，其特征是，步骤六所述氮气和氢气的总流量在混合气体中所占流量比为5％-50％。

5.如权利要求4所述的半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法，其特征是，步骤六所述氮气和氢气的总流量在混合气体中所占流量比为10％。

6.如权利要求1所述的半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法，其特征是，步骤六所述干法去除光刻胶的射频功率为500W-5000W，反应时间为5秒至300秒。

7.如权利要求1所述的半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法，其特征是，步骤二所述功能层为钛或者氮化钛层(1)。

8.如权利要求1所述的半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法，其特征是，步骤三所述功能层表面为钛或者氮化钛层(1)。