[发明专利]可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法有效
| 申请号： | 200710171575.X | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101451272A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减小 金属 介质 空洞 形成 概率 氮化 制作方法 | ||
1.一种可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法，该氮化硅 制作在已制成半导体器件的硅衬底上，且其在制作金属前介质层前制作，该氮 化硅制作方法包括第一预沉积工艺步骤、至少一主沉积工艺步骤、吹扫工艺步 骤、抬升工艺步骤和抽风工艺步骤，其特征在于，该主沉积工艺步骤包括第二 预沉积工艺步骤、氮化硅沉积工艺步骤和氮气处理工艺步骤，其中，在氮化硅 沉积工艺步骤中，沉积温度为400至480摄氏度，微波功率为50至60瓦，氨 气流量为50标况毫升每分，硅烷的流量为25标况毫升每分，氮气流量为20000 标况毫升每分，压力为800帕斯卡，沉积时间为5秒或者40秒或者85秒；在 氮气处理工艺步骤中，处理温度为400至480摄氏度，微波功率为50至60瓦， 氮气流量为20000标况毫升每分，压力为800帕斯卡，处理时间为10秒。
2.如权利要求1所述的可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作 方法，其特征在于，该氮化硅制作方法具有多个主沉积工艺步骤。
3.如权利要求2所述的可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作 方法，其特征在于，该氮化硅制作方法具有15个主沉积工艺步骤。
4.如权利要求3所述的可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作 方法，其特征在于，在第二预沉积工艺步骤中，预沉积温度为400至480摄氏 度，氨气流量为50标况毫升每分，硅烷的流量为25标况毫升每分，氮气流量 为20000标况毫升每分，压力为800帕斯卡，预沉积时间为5秒。
5.如权利要求1所述的可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作 方法，其特征在于，在第一预沉积工艺步骤中，预沉积温度为400摄氏度，氨 气流量为100标况毫升每分，硅烷的流量为75标况毫升每分，氮气流量为20000 标况毫升每分，压力为800帕斯卡，预沉积时间为5秒。
6.如权利要求1所述的可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作 方法，其特征在于，在吹扫工艺步骤中，吹扫温度为400摄氏度，氮气流量为 20000标况毫升每分，压力为800帕斯卡，吹扫时间为10秒。
7.如权利要求1所述的可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作 方法，其特征在于，在抬升工艺步骤中，温度为400摄氏度，氮气流量为20000 标况毫升每分，压力为800帕斯卡，时间为10秒。
8.如权利要求1所述的可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作 方法，其特征在于，在抽风工艺步骤中，处理温度为400摄氏度，抽风时间为5 秒。
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