[发明专利]一种可减小器件漏电流的金属电极制造方法有效
| 申请号： | 200710171607.6 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452842A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 保罗 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 器件 漏电 金属电极 制造 方法 | ||
1.一种可减小器件漏电流的金属电极制造方法，该金属电极制造在器件硅衬底的有源区上，该金属电极制造方法包括以下步骤：a、去除有源区表面的氧化层；b、通过物理气相沉积工艺沉积金属层，该金属层具有金属镍；c、进行第一次快速热处理；d、在该金属层上进行选择性湿法刻蚀工艺生成金属电极；e、进行第二次快速热处理，其特征在于，该金属层还具有金属铂，该金属铂在金属层中的原子百分含量为5％至10％。
2.如权利要求1所述的可减小器件漏电流的金属电极制造方法，其特征在于，该金属铂在金属层中的原子百分含量为5％。
3.如权利要求1所述的可减小器件漏电流的金属电极制造方法，其特征在于，在步骤a中，通过SiCoNi预清工艺去除有源区表面的氧化层。
4.如权利要求1所述的可减小器件漏电流的金属电极制造方法，其特征在于，在步骤c中，第一次快速热处理的温度范围为250至350摄氏度，时间为30秒。
5.如权利要求1所述的可减小器件漏电流的金属电极制造方法，其特征在于，在步骤d中，在选择性湿法刻蚀机台中通过盐酸和硝酸的混合溶液来刻蚀该金属层，该湿法刻蚀机台具有一用于喷洒该混合溶液的喷雾系统。
6.如权利要求1所述的可减小器件漏电流的金属电极制造方法，其特征在于，在步骤e中，第二次快速热处理的温度范围为350至450摄氏度，时间为30秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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