[发明专利]侧墙形成方法无效
| 申请号： | 200710171661.0 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447430A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张子莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
1.一种侧墙形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；
在所述半导体基底上形成栅极；
以所述栅极为掩膜，在所述半导体基底上形成超浅结；
以乙硅烷作为反应气体，在已形成超浅结的半导体基底上形成绝缘层；
刻蚀所述绝缘层，以形成环绕所述栅极的侧墙。
2.根据权利要求1所述的侧墙形成方法，其特征在于：所述绝缘层包含氧化层或氧化层及氮化层。
3.根据权利要求2所述的侧墙形成方法，其特征在于：形成所述绝缘层的工艺包括亚常压化学气相淀积和常压化学气相淀积。
4.根据权利要求3所述的侧墙形成方法，其特征在于：所述乙硅烷的流速范围为2～20sccm。
5.根据权利要求3所述的侧墙形成方法，其特征在于：形成所述氧化层时，涉及的反应气体还包含一氧化二氮，所述一氧化二氮的流速范围为1000～10000sccm。
6.根据权利要求3所述的侧墙形成方法，其特征在于：形成所述氮化层时，涉及的反应气体还包含氨气，所述氨气的流速范围为1000～10000sccm。
7.根据权利要求3所述的侧墙形成方法，其特征在于：形成所述氧化层或氧化层及氮化层时，以氮气作为缓冲气体，所述氮气的流速范围为1000～10000sccm。
8.根据权利要求3所述的侧墙形成方法，其特征在于：形成所述氧化层或氧化层及氮化层时，反应压力范围为100～400torr。
9.根据权利要求3所述的侧墙形成方法，其特征在于：形成所述氧化层时，反应温度范围为500～550摄氏度。
10.根据权利要求3所述的侧墙形成方法，其特征在于：形成所述氮化层时，反应温度范围为600～700摄氏度。
11.根据权利要求3所述的侧墙形成方法，其特征在于：形成所述绝缘层时，反应持续时间为1～10分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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