[发明专利]判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法

权利要求书

1.一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法，其特征在于具体步骤如下：

§A.将按照工业生产过程制备的多量子阱LED芯片，置于显微荧光光谱仪的物镜下，接通电源使LED发光，调节焦距，将物镜焦点聚在LED发光面上；

§B.第一次测量：调节电源，使注入电流处于能使LED发光的最小值，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，并由光谱仪的CCD探测器采集每一个测量微区的电致发光光谱，扫描面积为LED发光表面的实际大小，扫描步长小于10μm，大于1μm；微区直径为1-5μm之间；

§C.第二次测量：注入电流增大50-100μA，按步骤§B及条件进行第二次光谱扫描测量，得到此电流下与步骤§B相同所测区域各个微区的电致发光光谱；

§D.第三次测量：注入电流再增大500～1500μA，按步骤§B及条件进行第三次光谱扫描测量，得到此电流下与步骤§B相同所测区域各个微区的电致发光光谱；

§E.对第一次、第二次和第三次所测LED发光面各点的电致发光光谱线型进行比较，若第一次所测点的光谱线型为单峰线型；这些测量点在第二次测量时，在发光光谱高能量一侧出现新的发光峰，光谱为双峰线型；在第三次测量时，高能量一侧的发光峰明显减弱或消失，则说明在此LED材料中存在高效量子结构。

2.根据权利要求1的一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法，其特征在于：所说的多量子阱LED材料为InGaN/GaN。