[发明专利]低阻值高B值的片式NTC热敏电阻及其制造方法

权利要求书

1.一种低阻值高B值的片式NTC热敏电阻，由芯片基材、基材表面釉料，以及在基材两端引出金属电极构成，通过印制线路板工艺制成表面贴装型结构，其特征在于：所述芯片基材的原料为锰-钴二元系氧化物热敏材料，并掺入掺杂剂硅、钙、镁、锆、锌的化合物中的一种或其组合。

2.根据权利要求1所述的低阻值高B值的片式NTC热敏电阻，其特征在于：所述的锰-钴二元系氧化物热敏材料中，锰和钴元素的摩尔比为：Mn∶Co＝0.4～0.9∶1。

3.据权利要求1或2所述的低阻值高B值的片式NTC热敏电阻，其特征在于：所述的掺杂剂为氧化锌，其掺杂量为原料总质量的0.3～10％。

4.根据权利要求1或2所述的低阻值高B值的片式NTC热敏电阻，其特征在于：所述的掺杂剂为二氧化硅，其掺杂量为原料总质量的1～10％。

5.根据权利要求1或2所述的低阻值高B值的片式NTC热敏电阻，其特征在于：所述的掺杂剂为氟化钙，其掺杂量为原料总质量的1～10％。

6.根据权利要求1或2所述的低阻值高B值的片式NTC热敏电阻，其特征在于：所述的掺杂剂为氧化铝，其掺杂量为总质量的0.5～7％。

7.针对权利要求1所述的低阻值高B值的片式NTC热敏电阻的制造方法，包括湿法球磨、烧结、磨片、划粒、封端，制成成品，其特征在于：所述的湿法球磨包括将原料、水、球按质量比1∶2∶2～4装入球磨设备中球磨，其中，原料为锰-钴二元系氧化物热敏材料及掺杂剂。

8.根据权利要求7所述的低阻值高B值的片式NTC热敏电阻的制造方法，其特征在于：原料的装料顺序为：先加入锰-钴二元系氧化物热敏材料，再掺入掺杂剂，然后再次加入锰-钴二元系氧化物热敏材料。

9.根据权利要求7所述的低阻值高B值的片式NTC热敏电阻的制造方法，其特征在于：所述球磨时间为：一次球磨6～12小时，二次球磨10～24小时。

10.根据权利要求7所述的低阻值高B值的片式NTC热敏电阻的制造方法，其特征在于：所述的烧结，烧结温度为1100～1400℃。