[发明专利]电荷泵电流测试方法无效
| 申请号： | 200710172265.X | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101183134A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 戴明志;叶景良;廖宽仰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R19/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷 电流 测试 方法 | ||
1.一种电荷泵电流测试方法，其特征在于，
(1)、对NMOS管取一个大于或等于0.5MHz的频率作为次高频h1，或对PMOS管取一个大于或等于0.9MHz的频率作为次高频h2，并测得此时MOS管的衬底电流Isub1；
(2)、取一个大于所述次高频的频率h+h1或h+h2作为高频，并测得此时MOS管的衬底电流Isub2；
(3)、将所得的衬底电流Isub2减去衬底电流Isub1，即为在目标频率h时的电荷泵电流；
(4)、随着栅极的基准电压Vbase的变化，电荷泵的电流曲线呈成钟罩型或峰形分布，电荷泵电流绝对值的最大值与目标频率h成正比。
2.如权利要求1所述的电荷泵电流测试方法，其特征在于，所述的NMOS管在测试时，其次高频的取值为大于或者等于0.5MHz。
3.如权利要求1或2所述的电荷泵电流测试方法，其特征在于，所述的NMOS管在测试时，其次高频为0.9MHz。
4.如权利要求1所述的电荷泵电流测试方法，其特征在于，所述的PMOS管在测试时，其次高频的取值为大于或者等于0.9MHz。
5.如权利要求1所述的电荷泵电流测试方法，其特征在于，所述的MOS管的栅氧化物的厚度在小于或者等于15A。
6.如权利要求1所述的电荷泵电流测试方法，其特征在于，所述的NMOS管的目标频率h与次高频h1的差值小于或者等于0.5MHz。
7.如权利要求1所述的电荷泵电流测试方法，其特征在于，所述的PMOS管的目标频率h与次高频h2的差值小于或者等于0.2MHz。
8.如权利要求7所述的电荷泵电流测试方法，其特征在于，所述的PMOS管的目标频率h与次高频h1的差值小于0.1MHz。
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