[发明专利]一种用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法有效
| 申请号： | 200710172267.9 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101183666A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 孔蔚然;董耀旗;李容林;李栋;李寒冰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 嵌入式 闪存 对准 源漏极 制造 方法 | ||
1.一种用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1、在半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构、逻辑器件区域和闪存器件区域；
步骤2、依次沉积底层二氧化硅层、中层氮化硅层、顶层二氧化硅层三层电介质薄膜；
步骤3、刻蚀顶层二氧化硅层和中层氮化硅层形成D形侧墙结构；刻蚀停止在底层二氧化硅层；
步骤4、涂布掩盖逻辑器件部分，进行闪存器件的漏极离子注入；
步骤5、去除光刻胶，刻蚀二氧化硅，中层氮化硅层上的二氧化硅以及衬底表面剩余的底层二氧化硅层都被去除，形成L形侧墙结构；
步骤6、涂布光刻胶掩盖闪存器件区域，进行逻辑器件的源漏极注入。
2.根据权利要求1所述的用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法，其特征在于：所述步骤2中采用低压化学气相沉积法沉积三层电介质薄膜。
3.根据权利要求1所述的用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法，其特征在于：所述步骤3中采用等离子干法刻蚀。
4.根据权利要求1所述的用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法，其特征在于：所述步骤3中衬底表面剩余二氧化硅的厚度为80～150A。
5.根据权利要求1所述的用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法，其特征在于：所述步骤4的具体步骤为：首先所述逻辑器件区域和闪存器件区域均涂布光刻胶，经曝光、显影后打开所述闪存器件区域，所述逻辑器件部分被光刻胶掩盖；进行闪存器件的漏极离子注入。
6.根据权利要求1所述的用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法，其特征在于：所述步骤5中采用湿法刻蚀二氧化硅。
7.根据权利要求1所述的用于嵌入式闪存自对准源漏极的侧墙制造方法，其特征在于：所述步骤6的具体步骤为：首先所述逻辑器件区域和闪存器件区域均涂布光刻胶，经曝光、显影后打开所述逻辑器件区域，所述闪存器件区域被光刻胶掩盖；，进行逻辑器件的源漏极注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
