[发明专利]平衡硅片应力的后道互连实施方法有效
| 申请号： | 200710172269.8 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101183661A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平衡 硅片 应力 互连 实施 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种平衡硅片应力的后道互连实施方法，其特征在于：在硅片正面进行单步或多步正面薄膜淀积工艺后，在硅片背面进行相应的背面薄膜淀积工艺，其中正面薄膜和背面薄膜具有相同的应力模式。
2.如权利要求1所述的平衡硅片应力的后道互连实施方法，其特征在于：所述正面薄膜是指后道的金属互连介质。
3.如权利要求2所述的平衡硅片应力的后道互连实施方法，其特征在于：所述后道的金属互连介质包括金属前介质到最高层金属互连介质所有介质。
4.如权利要求2所述的平衡硅片应力的后道互连实施方法，其特征在于：后道金属互连介质可以是下列任一种或几种的组合：SiO2、SiN、SiC、SiON介质薄膜、非化学计量比的所述介质薄膜、掺有B、P、C、F杂质的所述介质薄膜。
5.如权利要求1所述的平衡硅片应力的后道互连实施方法，其特征在于：对应正面薄膜是后道金属前介质的背面薄膜淀积工艺的温度小于等于1000摄氏度。
6.如权利要求1所述的平衡硅片应力的后道互连实施方法，其特征在于：对应正面薄膜是第一层金属互连介质至最高层金属互连介质的背面薄膜淀积工艺的温度小于等于500摄氏度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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