[发明专利]钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种采用钨辅助热退火制备GaN纳米线的方法，其制备步骤是：

(1)以Al₂O₃、SiC、Si或者GaAs为衬底，先在衬底上生长一层GaN外延层作为模板；

(2)在步骤(1)生长的GaN外延层的模板上，沉积一层金属W薄层，然后在N₂或Ar气体下，于950-1050℃下退火制成GaN纳米线。

2.按权利要求1所述的采用钨辅助热退火制备GaN纳米线的方法，其特征在Al₂O₃、SiC、Si或者GaAs衬底上，生长作为模板的GaN外延层采用氢化物气相外延、金属有机化学气相沉积和分子束外延方法中的任意一种。

3.按权利要求1所述的采用钨辅助热退火制备GaN纳米线的方法，其特征在于在GaN外延层上沉积金属W薄膜是采用电子束蒸发或溅射方法制备的，W薄膜的厚度在3纳米-10纳米之间。

4.按权利要求1所述的采用钨辅助热退火制备GaN纳米线的方法，其特征在于步骤1中衬底上生长的作为模板的GaN外延层厚度为0.1微米～10微米。

5.按权利要求1所述的采用钨辅助热退火制备GaN纳米线的方法，其特征在于退火是在密闭的石英管中进行的。

6.按权利要求1所述的采用钨辅助热退火制备GaN纳米线的方法，其特征在于退火时金属W薄膜层凝聚，同时下层的GaN膜分解，形成均匀多孔网状的结构。

7.按权利要求1或5所述的采用钨辅助热退火制备GaN纳米线的方法，其特征在于退火时间为15分钟-60分钟。

8.按权利要求1所述的采用钨辅助热退火制备GaN纳米线的方法，其特征在于所述的GaN纳米线直径10纳米-100纳米，长度为10μm-100μm。