[发明专利]一种降低发光二极管光衰的方法有效
申请号: | 200710172631.1 | 申请日: | 2007-12-20 |
公开(公告)号: | CN101197411A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 占贤武 | 申请(专利权)人: | 宁波安迪光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;C08L83/14;C08K5/54 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 315400浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 发光二极管 方法 | ||
1.一种降低发光二极管光衰的方法,其特征在于:在发光二极管晶粒的光出射面上方形成一层透光介质,该透光介质由第一组份和第二组份调配形成,其中所述第一组份为聚二甲基硅氧烷,所述第二组份的主要组成为由二甲基硅氧烷、甲基氢基硅氧烷和乙烯基硅氧烷形成的共聚物,所述第二组份中共聚物的重量含量为94%~99%,其中二甲基硅氧烷的重量含量为84%~90%、甲基氢基硅氧烷的重量含量为4%~9%、乙烯基硅氧烷的重量含量为2%~7%。
2.如权利要求1所述的降低发光二极管光衰的方法,其特征在于:所述第二组份中共聚物的重量含量优选为98%,其中二甲基硅氧烷的重量含量优选为87%、甲基氢基硅氧烷的重量含量优选为7%、乙烯基硅氧烷的重量含量优选为4%。
3.如权利要求2所述的降低发光二极管光衰的方法,其特征在于:所述第二组份中还包括r-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷(r-缩水甘油醚丙基三甲氧基硅烷),其在第二组份中的重量含量为0.5%~3%。
4.如权利要求3所述的降低发光二极管光衰的方法,其特征在于:所述r-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷(r-缩水甘油醚丙基三甲氧基硅烷)在第二组份中的重量含量优选为1%。
5.如权利要求2所述的降低发光二极管光衰的方法,其特征在于:所述第二组份中还包括三乙氧基甲基硅氧烷,其在第二组份中的重量含量为0.5%~3%。
6.如权利要求5所述的降低发光二极管光衰的方法,其特征在于:所述三乙氧基甲基硅氧烷在第二组份中的重量含量优选为1%。
7.如权利要求1或2所述的降低发光二极管光衰的方法,其特征在于:所述第一组份和第二组份按重量1∶1比例调配。
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