[发明专利]L型边墙的形成方法

权利要求书

1.一种于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法，该L型边墙形成自一淀积于带有栅极结构基底的复合介电层，该复合介电层包括一牺牲层、一介电层以及一氧化层，该方法即用于该复合介电层的蚀刻过程，其特征是，包括：

保留栅极侧壁上的牺牲层，去除其余部分的牺牲层，而暴露出部分介电层；

通过湿法腐蚀去除暴露于外的介电层，而暴露出部分氧化层。

2.根据权利要求1所述的于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法，其特征是，其中上述复合介电层为一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构，即上述牺牲层为一第一氧化硅层，上述介电层为一氮化硅层，上述氧化层为一第二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法，其特征是，其中在上述通过湿法腐蚀去除暴露于外的介电层的过程中，是通过热磷酸湿法腐蚀去除暴露于外的介电层。

4.根据权利要求1所述的于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法，其特征是，在上述去除其余部分的牺牲层过程中，是通过各向异性的全面刻蚀去除其余部分的牺牲层。

5.根据权利要求1所述的于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法，其特征是，还包括：

进入后续蚀刻，去除暴露于外的氧化层以及侧壁上的牺牲层，而形成一L型边墙。

6.一种L型边墙的形成方法，其特征是，包括：

淀积一复合介电层于一带有栅极结构的基底，其中该复合介电层包括一牺牲层、一介电层以及一氧化层；

保留栅极侧壁上的牺牲层，去除其余部分的牺牲层，而暴露出部分介电层，从而形成一D型边墙；

通过湿法腐蚀去除暴露于外的介电层，而暴露出部分氧化层；

进入后续蚀刻，去除暴露于外的氧化层以及侧壁上的牺牲层，而形成一L型边墙。

7.根据权利要求6述的L型边墙的形成方法，其特征是，其中上述复合介电层为一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构，即上述牺牲层为一第一氧化硅层，上述介电层为一氮化硅层，上述氧化层为一第二氧化硅层。

8.根据权利要求6的L型边墙的形成方法，其特征是，其中在上述淀积一复合介电层于一带有栅极结构的基底的程中，是通过低压化学汽相淀积上述复合介电层于上述基底。

9.根据权利要求6所述的L型边墙的形成方法，其特征是，其中在上述去除其余部分的牺牲层过程中，是通过各向异性的全面刻蚀去除其余部分的牺牲层。

10.根据权利要求6所述的L型边墙的形成方法，其特征是，其中在上述通过湿法腐蚀去除暴露于外的介电层的过程中，是通过热磷酸湿法腐蚀去除暴露于外的介电层。