[发明专利]一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构

权利要求书

1.一种提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构，包含P阱(1)，围设在P阱(1)底部和两侧的P型衬底(2)，以及衬底引出极B端(3)和栅电极G端(4)，其特征在于：还包含一N阱结构(9)；

所述的P型衬底(2)与P阱(1)直接连在一起；

所述的栅电极G端(4)分别设置在P阱(1)的上端和P型衬底(2)的上端，通过引线连接构成一测量端点；

所述的N阱结构(9)设置在P型衬底(2)的栅电极G端(4)的下部，该N阱结构(9)的底部和两侧围设有所述的P型衬底(2)；其包含若干STI结构(10)，一N阱层(11)和一深N阱层(12)；

所述的若干STI结构(10)依次分离设置在P型衬底(2)的栅电极G端(4)的下部；

所述的N阱层(11)围设在该若干STI结构(10)的底部和两侧；

所述的深N阱层(12)设置在该N阱层(11)的下部。

2.如权利要求1所述的提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构，其特征在于，所述的STI结构(10)内部填设氧化层。

3.如权利要求2所述的提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构，其特征在于，所述的STI结构(10)的厚度为4500A～8000A。

4.如权利要求1所述的提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构，其特征在于，所述的衬底引出极B端(3)设置在P阱(1)内，其是P+引出端。

5.如权利要求1所述的提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构，其特征在于，所述的设置在P阱(1)的上端的栅电极G端(4)，其上部设置N+多晶硅层(5)，下部设置待测量电学厚度的栅氧化层(6)。

6.如权利要求1所述的提高P阱栅氧化层电学厚度测量精确性的测量结构，其特征在于，所述的设置在P型衬底(2)的上端的栅电极G端(4)，其上部设置金属衬垫(7)，下部设置中间介质层(8)。