[发明专利]EDMOS高压器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710173165.9 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101197291A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王磊;王俊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | edmos 高压 器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种EDMOS高压器件的制造方法，所述EDMOS高压器件包括衬底以及形成于衬底表面的栅极，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：
a.向衬底进行一次离子注入，在栅极旁侧形成轻掺杂漂移区；
b.采用氧化或者淀积步骤在衬底表面形成氧化物或者氮化物，然后进行刻蚀步骤，在栅极两侧形成侧墙；
c.利用侧墙向轻掺杂漂移区进行自对准离子注入，形成重掺杂漂移区，EDMOS高压器件的源漏极自重掺杂漂移区的引出。
2.如权利要求1所述的EDMOS高压器件的制造方法，其特征在于，步骤b形成的侧墙的横向宽度约为0.1μm。
3.如权利要求1所述的EDMOS高压器件的制造方法，其特征在于，所述衬底为P型阱区。
4.如权利要求1所述的EDMOS高压器件的制造方法，其特征在于，步骤a形成的轻掺杂漂移区深于步骤c形成的重掺杂漂移区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710173165.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种行进中周边信息检索方法、装置及导航设备
- 下一篇：纯棉面巾
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
