[发明专利]提高无掩模光刻的分辨率的方法无效
申请号: | 200710173369.2 | 申请日: | 2007-12-27 |
公开(公告)号: | CN101470354A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 阮巍 | 申请(专利权)人: | 上海科学院;上海微波设备研究所;阮巍 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 亮 |
地址: | 200235*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 无掩模 光刻 分辨率 方法 | ||
1.一种提高无掩模光刻的分辨率的方法,用于以一聚焦元件阵列聚焦一图案化的光束阵列,而在被曝光元件上形成由多个二维分布为h(x,y)的光斑组成的光刻图案,其特征在于,该方法包括:
使该被曝光元件与该聚焦元件阵列之间沿第一方向和第二方向相对步进移动,依次曝光形成多组像素,其中每次移动的步长小于各聚焦元件所形成的光斑的直径,以使各像素点上由一个以上的光斑相互重叠而形成的光强分布中,光强大于一曝光临界值的曝光像素图案形成一个所述的像素,其中所述各像素点(x,y)上的光强分布为:
其中ajk是中心为(jΔl,kΔl)的曝光点上的光斑强度,Δl为移动步长,j为第一方向x上的步进次数,k为第二方向y上的步进次数;所述曝光像素图案为:
并且使该被曝光元件与该聚焦元件阵列之间相对移动而曝光的同时,调制该光束阵列的曝光剂量,以改变各曝光点上的光斑强度ajk,其中该光斑强度ajk是在进行曝光前通过使该曝光像素图案g(x,y)与一需要的图案t(x,y)之间的误差最小化来进行优化计算。
2.如权利要求1所述的提高无掩模光刻的分辨率的方法,其特征在于,还包括在进行该曝光前,依据该光刻图案产生一由各曝光点上的光斑强度和曝光点之间的步长所定义的曝光矩阵,以根据该曝光矩阵进行该曝光过程。
3.如权利要求1所述的提高无掩模光刻的分辨率的方法,其特征在于,该被曝光元件是半导体基片,其上涂覆有光刻胶。
4.如权利要求1所述的提高无掩模光刻的分辨率的方法,其特征在于,以该被曝光元件与该聚焦元件阵列之间相对步进移动的步骤包括,使承载该被曝光元件的可移动平台相对该聚焦元件阵列步进移动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海科学院;上海微波设备研究所;阮巍,未经上海科学院;上海微波设备研究所;阮巍许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710173369.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。