[发明专利]用于辐射制冷的卤化物材料无效
| 申请号： | 200710173426.7 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101230254A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 马一平 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C09K5/00 | 分类号： | C09K5/00;C09D7/14;C09D133/00;C09D183/00;C09D5/00 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈树德 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 辐射 制冷 卤化物 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于辐射制冷的卤化物材料，所述的卤化物材料为碱金属卤化物或碱土金属卤化物。
2.根据权利要求1所述的用于辐射制冷的卤化物材料，其特征在于：所述的卤化物材料包括氟化钠、氟化钙、氯化镁、溴化钡中的一种或其组合。
3.根据权利要求1或2所述的用于辐射制冷的卤化物材料，其特征在于：所述的卤化物材料为由碱金属、碱土金属氢氧化物与酸反应制得，或为天然矿物卤化物。
4.针对权利要求1所述的用于辐射制冷的卤化物材料的使用方法，其特征在于：将卤化物材料研磨，用粘胶剂混合，涂覆在需制冷的环境中，或涂覆在基材上置于需制冷的环境中。
5.根据权利要求4所述的用于辐射制冷的卤化物材料的使用方法，其特征在于：所述的粘合剂为丙烯酸粘合剂或有机硅粘合剂。
6.根据权利要求5所述的用于辐射制冷的卤化物材料的使用方法，其特征在于：所述的卤化物与粘合剂的质量比为，1∶0.05～0.12。
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