[发明专利]一种可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法无效
申请号: | 200710173579.1 | 申请日: | 2007-12-28 |
公开(公告)号: | CN101216667A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 李杰;顾以理;朱亮 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/039;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/26;H01L21/027 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 空间 成像 检验 精准 光刻 方法 | ||
1.一种可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法,用于将光罩上的图形转移到涂布在硅衬底上的光刻胶上,该光罩上具有多个空间成像套刻标记图形,该方法包括以下步骤:a、在该硅衬底上涂布光刻胶;b、进行前烘工艺;c、进行曝光工艺以将光罩上的空间成像套刻标记图形转移到该光刻胶上;d、进行显影工艺;e、进行后烘工艺;其特征在于,在步骤b中,该前烘工艺的温度范围为115至125摄氏度。
2.如权利要求1所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法,其特征在于,在完成步骤e后,该光刻胶的厚度范围为4至5微米。
3.如权利要求1所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法,其特征在于,在步骤a中,该光刻胶为正性光刻胶。
4.如权利要求3所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法,其特征在于,该正性光刻胶包括溶剂、树脂和光活性化合物。
5.如权利要求1所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法,其特征在于,在步骤b中,该前烘工艺的温度为120摄氏度。
6.如权利要求1所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法,其特征在于,在步骤e中,该后烘工艺的温度范围为85至95摄氏度。
7.如权利要求1所述的可提高空间成像套刻检验精准度的光刻方法,其特征在于,该空间成像套刻标记图形为方框。
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