[发明专利]五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法

权利要求书

1.一种生长五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法，包括以下步骤：

(1)将原料TiO₂和Ti按Ti₃O₅配料，混合均匀、压块；

(2)将步骤(1)得到压块的原料装入坩埚中，坩埚转移至高温下降炉内，对整个系统升温并抽真空至10^-3-10^-4Pa，当炉温达到1400-1700℃时充入惰性保护气体，继续升温至设定温度，所述设定温度在1800-1900℃的范围内；

(3)炉温达到设定温度后，保温3-6小时，使原料熔化充分，晶体生长的固液界面温度梯度在20-60℃/cm的范围内，坩埚下降速率控制在0.1-5.0mm/h之间；

(4)待晶体生长结束后，在生长炉内适当位置保温10-24小时，然后以25-80℃/h的速度将炉温降至室温，对所生长的晶体进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述坩埚的形状为所需的形状，所述坩埚是选自钼、钨或钨钼合金的耐高温材料。

3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，将步骤(1)中的所述晶体生长的固液界面温度梯度设定在30-50℃/cm的范围内；坩埚下降速率控制在1.0-4.0mm/h之间。

4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤(1)中以25-50℃/h的速度进行退火处理。

5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，在晶体炉内安放多只坩埚，各坩埚具有同等生长条件和工效，以实现一炉同时生长多坩埚Ti₃O₅晶体。

6.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述原料TiO₂纯度在99.9重量％及以上，Ti的纯度在99.99重量％及以上。