[发明专利]氧化硅基复合金属氧化物的制备方法无效
| 申请号： | 200710173616.9 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101230269A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 刘志成;施剑林;陈航榕;华子乐;步文博;张玲霞;李蕾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 复合 金属 氧化物 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.氧化硅基复合金属氧化物的制备方法，其特征在气氛炉中，将金属源加热形成蒸气，用惰性气体将金属蒸气带入与氧化硅基体材料在金属熔点温度以上反应，然后停止加热，在惰性气体保护下冷却至室温。
2.按权利要求1所述的氧化硅基复合金属氧化物的制备方法，其特征在于所述的金属源为Sn、Zn、Mg或Ga。
3.按权利要求1或2所述的氧化硅基复合金属氧化物的制备方法，其特征在于所述的金属源形态是任意形态。
4.按权利要求1所述的氧化硅基复合金属氧化物的制备方法，其特征在于所述的氧化硅基材料为白碳黑、纳米氧化硅、介孔氧化硅或沸石分子筛。
5.按权利要求1或2或4所述的氧化硅基复合金属氧化物的制备方法，其特征在于所述的气氛炉为管式气氛炉。
6.按权利要求1或2或4所述的氧化硅基复合金属氧化物的制备方法，其特征在于所述的惰性气体为Ar或N2。
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