[发明专利]高纯度二氧化硅与冶金级多晶硅的制法有效
| 申请号： | 200710175359.2 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101397138A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 丁原杰;曾忠璿 | 申请（专利权）人： | 丁原杰 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄 挺 |
| 地址： | 中国台湾台中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 二氧化硅 冶金 多晶 制法 | ||
【权利要求书】：
1.一种冶金级多晶硅的制法，其特征在于，其步骤主要包含有：
a)将二氧化硅均匀溶解于氟化铵NH4F水溶液中并以预定温度加热；
b)加入预定温度的热水在溶液中予以搅拌，并过滤固体残留物；
c)将过滤后的溶液降温至室温，可获致氟化硅铵盐(NH4)2SiF6晶体；
d)将氟化硅铵盐置于容器内并通入氢/氩H2/Ar混合气；
e)加热该容器，使氟化硅铵盐、氢/氩混合气产生还原反应；
f)停止加热，使该容器自然冷却，待其冷却后停止通入氢/氩；
g)最后，即可在该容器内产生冶金级多晶硅粉末。
2.如权利要求1所述冶金级多晶硅的制法，其特征在于，所述a)步骤中，预定温度设为140至160℃之间，以140至160℃间的温度加热溶液，加热之际并同时将溶液搅拌使二氧化硅可均匀溶解于氟化铵水溶液中。
3.如权利要求1所述冶金级多晶硅的制法，其特征在于，所述b)步骤中，热水的预定温度为80℃以上。
4.如权利要求3所述冶金级多晶硅的制法，其特征在于，获致氟化硅铵盐(NH4)2SiF6最佳产率的条件为：反应温度140℃、氟化铵/二氧化硅的摩尔比在6以上。
5.如权利要求1所述冶金级多晶硅的制法，其特征在于，所述b)步骤中，固体残留物是原二氧化硅中的非水溶性杂质。
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