[发明专利]一种非易失性存储器件及其设计方法有效
| 申请号： | 200710175710.8 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101132025A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 朱一明;胡洪 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 100084北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 及其 设计 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非易失性存储器件，包括：金属层、接触孔、阻挡层和晶体管，其中，
晶体管包括多晶硅层，
其特征在于，
金属层与接触孔形成控制栅；
多晶硅层形成浮栅；
金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅层依次连接形成电容结构。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其特征在于，所述阻挡层为金属硅化物阻挡层。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其特征在于，所述接触孔为单个接触孔。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其特征在于，所述接触孔为多个接触孔。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其特征在于，所述金属层为第一金属层。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其特征在于，所述晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管或N型金属氧化物半导体晶体管。
7.一种非易失性存储器件的设计方法，包括：
提供金属层、接触孔、阻挡层和晶体管，其中，
晶体管包括多晶硅层，
其特征在于，
金属层和接触孔形成控制栅；
多晶硅层形成浮栅；
金属层、接触孔、阻挡层、多晶硅层依次连接形成电容结构。
8.根据权利要求7所述的设计方法，其特征在于，所述阻挡层为金属硅化物阻挡层。
9.根据权利要求7所述的设计方法，其特征在于，所述接触孔为单个接触孔。
10.根据权利要求7所述的设计方法，其特征在于，所述接触孔为多个接触孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京芯技佳易微电子科技有限公司，未经北京芯技佳易微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710175710.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种走纸机构
- 下一篇：抗衰老葡萄酒及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
