[发明专利]一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法有效
| 申请号： | 200710175969.2 | 申请日： | 2007-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101414562A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;魏珂;刘新宇;刘键;刘果果;郑英奎;王冬冬;黄俊;和致经 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 场效应 晶体管 性能 方法 | ||
1、一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，其特征在于，该方法包括：
在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，然后在进行表面预处理后的器件表面淀积氮化硅和富氧氮化硅复合介质层，对氮化镓基场效应晶体管进行钝化；
其中，淀积氮化硅和富氧氮化硅复合介质层的步骤包括：采用PECVD方法在进行表面预处理后的器件表面淀积一层厚度为的氮化硅，然后在该氮化硅层上淀积一层厚度为的富氧氮化硅；氮化硅中硅氮化学配比为1∶0.82，富氧氮化硅中硅氧氮化学配比为1∶0.42∶0.83。
2、根据权利要求1所述的提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，其特征在于，所述采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理的步骤包括：
采用由氢氟酸、盐酸和水形成的预处理混合溶液，在室温条件下和密闭容器条件下，对氮化镓基场效应管进行表面预处理。
3、根据权利要求2所述的提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，其特征在于，所述预处理混合溶液中氢氟酸、盐酸和水的化学配比为1∶4∶20。
4、根据权利要求2所述的提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，其特征在于，所述在室温条件下进行表面预处理的时间为1至2分钟。
5、根据权利要求1或2所述的提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，其特征在于，所述对氮化镓基场效应管进行表面预处理在密闭容器中进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
