[发明专利]一种电学双稳态有机薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200710176279.9 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101419815A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 涂德钰;刘明;刘新华;商立伟;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电学 双稳态 有机 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电学双稳态有机薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括：
将金属M纳米颗粒与有机材料TCNQ粉末按一定比例混合溶解于有机溶剂之中；
在基片上旋涂所述金属M纳米颗粒与有机材料TCNQ粉末的混合溶液；
待溶剂挥发后，对所述基片在80至150摄氏度的温度下退火1至3小时，形成有机电学双稳态有机薄膜。
2.根据权利要求1所述的电学双稳态有机薄膜的制备方法，其特征在于，所述的金属M为Cu或Ag。
3.根据权利要求1所述的电学双稳态有机薄膜的制备方法，其特征在于，所述一定比例为金属M纳米颗粒∶有机材料TCNQ粉末＝1∶1或金属M纳米颗粒∶有机材料TCNQ粉末＝2∶1。
4.根据权利要求1所述的电学双稳态有机薄膜的制备方法，其特征在于，所述的有机溶剂为氯仿或乙腈。
5.根据权利要求1所述的电学双稳态有机薄膜的制备方法，其特征在于，所述基片为硅片、氧化硅片、氮化硅片、玻璃或石英片。
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