[发明专利]一种基于E PHEMT的单刀双掷开关

权利要求书

1、一种基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT的单刀双掷微波开关，其特征在于，该微波开关包括六个E PHEMT、六个限流电阻、三个隔直电容、五段微带线和两个电压控制端；

所述第一电压控制端V1的正极通过第一限流电阻R1与第一增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT1的栅极连接，通过第五限流电阻R5与第五增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT5的栅极连接，通过第六限流电阻R6与第六增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT6的栅极连接；

所述第二电压控制端V2的正极通过第二限流电阻R2与第二增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT2的栅极连接，通过第三限流电阻R3与第三增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT3的栅极连接，通过第四限流电阻R4与第四增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT4的栅极连接；

所述E PHEMT1的源极直接与E PHEMT4的漏极连接，通过第二微带线L2与E PHEMT3的漏极连接，并通过第二微带线L2和第三微带线L3与第二隔直电容C2连接；所述第二隔直电容C2的另一端接第一信号输出端RF OUT1；

所述E PHEMT2的源极直接与E PHEMT5的漏极连接，通过第四微带线L4与E PHEMT6的漏极连接，并通过第四微带线L4和第五微带线L5与第三隔直电容C3连接；所述第三隔直电容C3的另一端接第二信号输出端RF OUT2；

所述E PHEMT1、E PHEMT2的漏极通过第一微带线L1与第一隔直电容C1连接；所述第一隔直电容C1的另一端接信号输入端RFIN；

所述E PHEMT3、E PHEMT4、E PHEMT5、E PHEMT6的源极以及第一电压控制端V1、第二电压控制端V2的负极均接地。

2、根据权利要求1所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT的单刀双掷微波开关，其特征在于，

所述E PHEMT3的漏极通过第三微带线L3与第二隔直电容C2连接，所述E PHEMT6的漏极通过第五微带线L5与第三隔直电容C3连接。

3、根据权利要求1所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT的单刀双掷微波开关，其特征在于，该微波开关进一步包括由第一耗尽型赝配高电子迁移率场效应晶体管D PHEMT1、第七增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT7构成的基于增强/耗尽PHEMT的直接耦合场效应晶体管逻辑DCFL反相器，该DCFL反相器利用第一电压控制端V1的输入信号/第二电压控制端V2的输出信号分别控制两个传输路径的开启和关断。

4、根据权利要求3所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第一耗尽型赝配高电子迁移率场效应晶体管D PHEMT1的栅极与源极连接，该D PHEMT1处于开启状态，漏极连接于直流电压V3。

5、根据权利要求3所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第一耗尽型赝配高电子迁移率场效应晶体管D PHEMT1的栅极、源极与第七增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT7的漏极、第二限流电阻R2、第三限流电阻R3、第四限流电阻R4连接，提供电压V2。

6、根据权利要求3所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第七增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT7的源极接地。

7、根据权利要求3所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT的单刀双掷微波开关，其特征在于，所述第七增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT7的栅极与第一电压控制端V1的正极、第一限流电阻R1、第五限流电阻R5、第六限流电阻R6连接。

8、根据权利要求3所述的基于增强型赝配高电子迁移率场效应晶体管E PHEMT的单刀双掷微波开关，其特征在于，当DCFL反相器的EPHEMT7栅极电压V1为1V时，该E PHEMT7处于导通状态，反相器输出V2为低电平；当DCFL反相器的E PHEMT7栅极电压V1为阈值电压时，该E PHEMT7处于关断状态，反相器输出V2为高电平。