[发明专利]用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法

权利要求书

1.一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1、清洗基片，烘干；

步骤2、在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶，烘干；

步骤3、在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶，前烘；

步骤4、电子束光刻，对顶层胶进行曝光；

步骤5、对曝光后的顶层胶进行显影、定影，吹干，得到顶层胶光刻图形；

步骤6、利用顶层胶光刻图形做掩蔽，使用LOR腐蚀剂对底层胶进行腐蚀，得到所需的内切图形；

步骤7、在得到的内切图形上蒸发金属；

步骤8、依次去除顶层胶与底层胶，完成剥离工艺，得到所需金属图形。

2.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，其特征在于，所述基片清洗采用微电子标准清洗工艺。

3.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，其特征在于，所述前烘、烘干使用的是热板或烘箱，热板或烘箱的温度为180度，时间30分钟。

4.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，其特征在于，所述显影、定影采用ZEP520标准显影液、定影液，吹干使用高纯氮气吹干。

5.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，其特征在于，所述蒸发金属采用热蒸发、电子束蒸发以及溅射，所用金属为Cr、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Ti、Co或W。

6.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，其特征在于，所述剥离工艺采用丙酮或异丙醇。