[发明专利]用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法有效
申请号: | 200710176930.2 | 申请日: | 2007-11-07 |
公开(公告)号: | CN101430503A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 涂德钰;刘明;谢常青;刘新华;商立伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/42;G03F7/26;G03F7/32;C23C14/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子束光刻 剥离 去除 双层 方法 | ||
1.一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,该方法包括:
步骤1、清洗基片,烘干;
步骤2、在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶,烘干;
步骤3、在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶,前烘;
步骤4、电子束光刻,对顶层胶进行曝光;
步骤5、对曝光后的顶层胶进行显影、定影,吹干,得到顶层胶光刻图形;
步骤6、利用顶层胶光刻图形做掩蔽,使用LOR腐蚀剂对底层胶进行腐蚀,得到所需的内切图形;
步骤7、在得到的内切图形上蒸发金属;
步骤8、依次去除顶层胶与底层胶,完成剥离工艺,得到所需金属图形。
2.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,所述基片清洗采用微电子标准清洗工艺。
3.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,所述前烘、烘干使用的是热板或烘箱,热板或烘箱的温度为180度,时间30分钟。
4.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,所述显影、定影采用ZEP520标准显影液、定影液,吹干使用高纯氮气吹干。
5.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,所述蒸发金属采用热蒸发、电子束蒸发以及溅射,所用金属为Cr、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Ti、Co或W。
6.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,所述剥离工艺采用丙酮或异丙醇。
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