[发明专利]用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法有效

专利信息
申请号: 200710176930.2 申请日: 2007-11-07
公开(公告)号: CN101430503A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 涂德钰;刘明;谢常青;刘新华;商立伟 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/42;G03F7/26;G03F7/32;C23C14/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 电子束光刻 剥离 去除 双层 方法
【权利要求书】:

1.一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,该方法包括:

步骤1、清洗基片,烘干;

步骤2、在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶,烘干;

步骤3、在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶,前烘;

步骤4、电子束光刻,对顶层胶进行曝光;

步骤5、对曝光后的顶层胶进行显影、定影,吹干,得到顶层胶光刻图形;

步骤6、利用顶层胶光刻图形做掩蔽,使用LOR腐蚀剂对底层胶进行腐蚀,得到所需的内切图形;

步骤7、在得到的内切图形上蒸发金属;

步骤8、依次去除顶层胶与底层胶,完成剥离工艺,得到所需金属图形。

2.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,所述基片清洗采用微电子标准清洗工艺。

3.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,所述前烘、烘干使用的是热板或烘箱,热板或烘箱的温度为180度,时间30分钟。

4.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,所述显影、定影采用ZEP520标准显影液、定影液,吹干使用高纯氮气吹干。

5.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,所述蒸发金属采用热蒸发、电子束蒸发以及溅射,所用金属为Cr、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Ti、Co或W。

6.根据权利要求1所述的用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,其特征在于,所述剥离工艺采用丙酮或异丙醇。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710176930.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top