[发明专利]在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法

权利要求书

1、一种在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法，其特征在于，该方法包括：

将封蜡溶于有机溶剂中，制备封蜡的饱和溶液；

对待腐蚀MEMS器件正面需要保护的区域进行滴液，将制备的封蜡饱和溶液滴到待腐蚀MEMS器件正面需要保护的区域；

对所述经过滴液处理的待腐蚀MEMS器件进行烘干；

将烘干后的待腐蚀MEMS器件放入碱性腐蚀液中进行腐蚀；

腐蚀结束后，去除MEMS器件上的封蜡。

2、根据权利要求1所述的在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法，其特征在于，所述溶解封蜡的有机溶剂为1，1，1-三氯乙烷或甜橙油萜orange terpene。

3、根据权利要求2所述的在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法，其特征在于，所述制备封蜡饱和溶液的步骤包括：

将一块Apiezon W封蜡溶于一定体积的1，1，1-三氯乙烷或甜橙油萜中，用玻璃棒搅拌，直至仍有少量封蜡未溶解，制备出封蜡的1，1，1-三氯乙烷或甜橙油萜饱和溶液。

4、根据权利要求3所述的在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法，其特征在于，所述Apiezon W封蜡的重量为2g，1，1，1-三氯乙烷或甜橙油萜的体积为20ml。

5、根据权利要求1所述的在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法，其特征在于，所述进行滴液的步骤包括：

将待腐蚀的MEMS器件置于50℃～70℃的热板上，正面朝上，将配好的20ml Apiezon W的1，1，1-三氯乙烷饱和溶液用滴管分多次滴到待腐蚀MEMS器件需要保护的区域。

6、根据权利要求5所述的在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法，其特征在于，所述分多次将饱和溶液滴到待腐蚀MEMS器件需要保护的区域时，每次滴液不能过多，以防溶液流出硅片，两次滴液间隔为30秒。

7、根据权利要求1所述的在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法，其特征在于，所述进行烘干的步骤包括：

将待腐蚀MEMS器件置于90～120℃的热板上，正面朝上，烘烤30～60分钟，使得1，1，1-三氯乙烷充分挥发。

8、根据权利要求1所述的在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法，其特征在于，所述进行腐蚀的步骤包括：

将Apiezon W保护后的待腐蚀MEMS器件放入浓度为33％～35％的KOH溶液中进行腐蚀。

9、根据权利要求8所述的在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法，其特征在于，所述KOH溶液的温度不超过75℃，以防Apiezon W软化。

10、根据权利要求1所述的在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法，其特征在于，所述去除封蜡的步骤包括：

腐蚀结束后，将MEMS器件浸泡于1，1，1-三氯乙烷中，将MEMS器件正面的封蜡溶解干净；

将MEMS器件捞出，用乙醇涮洗一遍，再用去离子水冲洗干净，吹干。