[发明专利]一种制作自隔离电阻转变型存储器的方法

权利要求书

1、一种制作自隔离电阻转变型存储器的方法，其特征在于，该方法包括：

A、在绝缘衬底上形成导电薄膜作为下电极；

B、在形成下电极的结构上涂敷光刻胶；

C、通过光刻方法在上述光刻胶上定义器件的大小；

D、依次生长具有电阻转变特性的材料和上电极；

E、通过剥离光刻胶的方法释放器件。

2、根据权利要求1所述的制作自隔离电阻转变型存储器的方法，其特征在于，步骤A中所述绝缘衬底包括玻璃、石英或硅衬底，以及由硅衬底所支撑的氧化硅、氮化硅。

3、根据权利要求1所述的制作自隔离电阻转变型存储器的方法，其特征在于，步骤A中所述作为下电极的导电薄膜包括：金属、具有导电性的化合物，以及用于增加与衬底的粘附性所淀积的粘附层。

4、根据权利要求1所述的制作自隔离电阻转变型存储器的方法，其特征在于，步骤B中所述光刻胶为5214，9912，9918，ZEP520或者HSQ，光刻胶涂敷的厚度至少为1μm。

5、根据权利要求1所述的制作自隔离电阻转变型存储器的方法，其特征在于，步骤C中所述光刻方法包括针对大尺寸器件的光学曝光方法和针对小尺寸器件的电子束曝光方法。

6、根据权利要求1所述的制作自隔离电阻转变型存储器的方法，其特征在于，步骤D中所述具有电阻转变特性的材料为二元金属氧化物ZrO₂、NiO、TiO₂，CuO、MnO、Al₂O₃、MgO、Nb₂O₅、Ta₂O₅，VO₂、ZnO和MoO，或者三元氧化物SrZrO3和SrTiO3，以及复杂氧化物LaSrMnO₃、LaCaMnO₃和PrCaMnO₃。

7、根据权利要求1所述的制作自隔离电阻转变型存储器的方法，其特征在于，步骤D中所述上电极的材料包括金属、具有导电性的化合物，以及用于增加与衬底的粘附性所淀积的粘附层。

8、根据权利要求1所述的制作自隔离电阻转变型存储器的方法，其特征在于，步骤D中所述的依次生长的具有电阻转变特性的材料和上电极材料的总厚度小于步骤B中所述光刻胶的厚度。