[发明专利]一种喷嘴装置及应用该喷嘴装置的半导体处理设备有效

专利信息
申请号: 200710176946.3 申请日: 2007-11-07
公开(公告)号: CN101428256A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 刘少锋 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: B05B1/14 分类号: B05B1/14;B05B15/00;B05C11/10;B05C11/11;H01L21/00;H01L21/3065
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 张天舒;陈 源
地址: 100016北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 喷嘴 装置 应用 半导体 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种喷嘴装置,包括用以引入流体的喷嘴进口部分和用以向外喷射流体的喷嘴出口部分,所述喷嘴出口部分具有带有喷射孔的喷射面,其特征在于,所述喷嘴出口部分与所述喷嘴进口部分连接为一体,并且所述喷嘴出口部分包括与所述喷嘴进口部分相连的腔体,用以容纳来自所述喷嘴进口部分的流体,并将所述流体向所述喷射孔分配,由所述喷射孔将所述流体向外喷射,所述喷嘴出口部分的底面和侧面为所述喷射面,而且在所述喷嘴出口部分的底面上所述喷射孔的孔径和分布密度自中央向边缘逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的喷嘴装置,其特征在于,所述喷嘴进口部分和喷嘴出口部分通过一体成型的方式连接为一体。

3.根据权利要求1所述的喷嘴装置,其特征在于,所述喷嘴进口部分和喷嘴出口部分通过这样的方式连接为一体,即,分别单独成型,而后将二者密封地连接在一起。

4.根据权利要求1所述的喷嘴装置,其特征在于,从所述喷射面的中央位置处到其边缘位置处均分布有所述喷射孔。

5.根据权利要求1所述的喷嘴装置,其特征在于,所述喷射孔的形状为圆形或椭圆形或方形或多边形。

6.一种半导体处理设备,包括反应腔室,其特征在于,还包括如权利要求1至5中任意一项所述的喷嘴装置,用以向所述反应腔室内喷射流体。

7.根据权利要求6所述的半导体处理设备,其特征在于,在所述反应腔室内设置有静电夹持装置,被加工/处理的半导体器件置于所述静电夹持装置上,所述喷嘴装置与所述半导体器件相对设置。 

8.根据权利要求6或7所述的半导体处理设备,其特征在于,在所述反应腔室的上方设置有石英盖,所述喷嘴装置安装在所述石英盖上。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710176946.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top