[发明专利]具斜角型反射杯LED陶瓷基板的制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED陶瓷基板的制法，具体涉及一种陶瓷基板上容置LED晶体的斜角型反射杯的制程方法。

背景技术

发光二极体(Light Emitting Diode，LED)元件，是一种半导体材料制成的发光元件，可作为指示灯和显示板等，并能够应用在照明上，具有省电、效率高、反应快、寿命长、耐震及环保(无铅、汞等有害物)等传统光源无法比拟的优点。

并且目前发光二极体元件已朝向高功率发展；因此，现在一般使用高反射率与高散热的低温共烧陶瓷(Low-temperature Co-fired Ceramic，LTCC)来作为封装发光二极体用的基板，其封装程序是先以低温共烧陶瓷技术产制一陶瓷基板4b(如图1所示)，并将一LED晶体41b设于陶瓷基板4b的一垂直型反射杯12b内，并打金线将LED晶体41b与陶瓷基板4b做电气连结，随后在反射杯12b内填充封胶，再烘干形成透镜51b，用于保护LED晶体41b，使LED晶体41b在电源驱动时，能自反射杯12b内发出光线，并通过透镜51b投射到外界。

然而，上述传统用来封装发光二极体的陶瓷基板的缺点在于，LED晶体41b发出的光线的投射范围，会受到垂直型反射杯12b的对外开放角度的限制；因此，该LED晶体41b发出的光线仅能以垂直方向对外投射(如图1所示)，使LED晶体的光线投射范围无法增加的问题。

为了克服上述问题，现有较为先进的技术中，已有一种将反射杯制成斜角型的方法，由斜角型反射杯来增加LED晶体光线的投射范围，该斜角型反射杯的制法如下，将预制有垂直型胚孔的一陶瓷生胚放入一真空袋中，并对真空袋进行抽真空，使垂直型胚孔于抽真空期间，受气压压迫而形成斜角型反射杯；但缺点在于，胚孔成型斜角的精确度无法掌握，导致生产多个LED陶瓷基板时，会造成每个斜角型反射杯的倾斜角度不一致的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具斜角型反射杯LED陶瓷基板的制法。

为达上述目的，本发明具体的内容为：

一种具斜角型反射杯LED陶瓷基板的制法，包含：

取用至少一由低温共烧陶瓷制成的生胚，具一反射杯的胚孔，在其未烧结前，使用一机械钻头加工所述胚孔，以形成一具斜角型反射杯的上层陶瓷生胚；

将所述上层陶瓷生胚，与至少一已布置电路的下层陶瓷生胚，相互堆迭及压合成一预迭陶瓷生胚；

对所述预迭陶瓷生胚进行烧结，以制成LED陶瓷基板。

其中胚孔以机械冲孔或雷射钻孔加工而成。

其中电路由导电银胶布置而成。

其中下层陶瓷生胚取用至少一由低温共烧陶瓷制成的生胚，在未烧结前，使用雷射钻孔加工出多个通孔，各通孔内各自填充导电银胶，并在生胚顶部及底部环周各自印刷导电银胶，各自与通孔内的导电银胶相粘合而形成电路，并在生胚顶部中央印刷用来接合一LED晶体的导电银胶。

其中烧结温度介于900℃至1000℃之间。

依据上述可知，本发明的方法在陶瓷生胚未烧结前，以机械加工方式在陶瓷生胚上成型斜角型反射杯，以掌握反射杯斜角的成型精确度，且易于控制斜角型反射杯的制程稳定性与精密度，进而提升加工斜角型反射杯的品质，以克服先前技术中，在产制多个LED陶瓷基板时，造成多个斜角型反射杯的倾斜角度不一致的问题。

附图说明

图1：为传统的LED陶瓷基板的剖示图。

图2：为本发明的LED陶瓷基板的剖示图。

图3：为本发明以机械冲孔方式于陶瓷生胚顶部加工胚孔的示意图。

图4：为本发明以雷射钻孔方式于陶瓷生胚顶部加工胚孔的示意图。

图5：为本发明以机械钻头加工胚孔成斜角型反射杯的示意图。

图6：为本发明以雷射钻孔方式于陶瓷生胚顶部加工多个通孔的示意图。

图7：为本发明于陶瓷生胚顶部及各通孔内布置导电银胶的示意图。

图8：为本发明于陶瓷生胚底部及各通孔内布置导电银胶的示意图。

图9：为本发明将上层与下层陶瓷生胚相互堆迭的示意图。

图10：为本发明将上层与下层陶瓷生胚相互压合成预迭陶瓷生胚的示意图。

图11：为本发明方法的流程图。

具体实施方式

以下就本发明具斜角型反射杯LED陶瓷基板的制法的过程和内容，配合附图以较佳实施例详细说明如下：

请参阅图2所示，为本发明具斜角型反射杯LED陶瓷基板的剖示图，并配合图3至图11说明本发明具斜角型反射杯LED陶瓷基板的制法，其中包含：